[发明专利]一种聚四氟乙烯基覆铜板的制备方法及应用

说明书

本发明涉及电路基板技术领域，具体提供一种聚四氟乙烯基覆铜板的制备方法及应用。聚四氟乙烯基覆铜板的制备方法包括如下步骤：制备PFA基薄膜；制备PTFE基薄膜，PTFE基薄膜由炭黑与PTFE混合材料制成；将PFA基薄膜与PTFE基薄膜热压，得到PFA‑PTFE复合薄膜，其中，PTFE基薄膜与PFA基薄膜中PFA与二氧化硅的混合材料一侧相连；将PFA‑PTFE复合薄膜中二氧化硅一侧的表面处理，使二氧化硅一侧的表面呈多孔状；将铜箔、PFA‑PTFE复合薄膜、玻纤板热压，得到聚四氟乙烯基覆铜板，以使聚四氟乙烯基覆铜板具有更低的介电常数、更好的耐热性能及更高的强度。

技术领域

本发明涉及电路基板技术领域，具体提供一种聚四氟乙烯基覆铜板的制备方法及应用。

背景技术

随着高频通信行业的快速发展，对覆铜板的性能有了更高的要求，覆铜板应具备如下几个重要的性能：较低的介电常数(Dk)、更好的耐热性能及更高的强度，以保证信号的完整性和可靠性，并延长覆铜板的使用寿命。

聚四氟乙烯(PTFE)树脂作为完全对称无支链线的高分子材料，有低的介电常数及介质损耗，已成为高频覆铜板选用的典型树脂。然而，PTFE的自润滑特性、极低的表面能和化学惰性，使其难以与其他材料粘结，使其在覆铜板行业的应用受到了限制。

目前聚四氟乙烯基覆铜板无法同时具有较低的介电常数、更好的耐热性能及更高的强度。

发明内容

本发明的目的是：提供一种聚四氟乙烯基覆铜板的制备方法及应用，以进一步降低聚四氟乙烯基覆铜板的介电常数，并使聚四氟乙烯覆铜板有更好的耐热性能及更高的强度。

本发明提供的聚四氟乙烯基覆铜板的制备方法包括如下步骤：

制备PFA基薄膜，其中，所述PFA基薄膜包括两层，一层为PFA与二氧化硅的混合材料，一层为二氧化硅；

制备PTFE基薄膜，所述PTFE基薄膜由炭黑与PTFE混合材料制成；

将所述PFA基薄膜与所述PTFE基薄膜热压，得到PFA-PTFE复合薄膜，其中，所述PTFE基薄膜与所述PFA基薄膜中第一侧相连，所述第一侧为所述PFA与所述二氧化硅的混合材料一侧；

将所述PFA-PTFE复合薄膜中所述二氧化硅一侧的表面处理，使所述二氧化硅一侧的表面呈多孔状；

将铜箔、所述PFA-PTFE复合薄膜、玻纤板热压，得到聚四氟乙烯基覆铜板。

优选地，所述制备PFA基薄膜包括如下步骤：

将所述二氧化硅粉末与PFA粉末混合，得到混合料A，然后依次铺设所述混合料A与二氧化硅粉末，并将铺设后的所述混合料A与所述二氧化硅粉末高温烧结，得到所述PFA基薄膜。使PFA基薄膜一侧为混合料A，一侧为二氧化硅，在聚四氟乙烯基覆铜板产品中，PFA基薄膜混合料A一侧与FTFE基薄膜连接，由于PFA中包含聚四氟乙烯，因此混合料A一侧与FTFE基薄膜连接紧密度较高，可以提高聚四氟乙烯基覆铜板的剥离强度。

优选地，所述混合料A与所述二氧化硅粉末高温烧结的温度为320-350℃，压力为常压。

优选地，所述混合料A中，所述二氧化硅与所述PFA的质量比为1：4-6；混合料A中，二氧化硅在该比例下可以降低介电常数，若二氧化硅比例低于或高于该比例，则介电常数均可能升高。

所述PFA基薄膜中，所述二氧化硅与所述混合料A的质量比为1：5-7。若二氧化硅低于或高于该比例，则有可能使聚四氟乙烯基覆铜板的强度降低。

优选地，制备PTFE基薄膜包括如下步骤：