[发明专利]一种聚四氟乙烯基覆铜板的制备方法及应用有效
| 申请号: | 202310789108.2 | 申请日: | 2023-06-30 |
| 公开(公告)号: | CN116494612B | 公开(公告)日: | 2023-08-29 |
| 发明(设计)人: | 陈磊 | 申请(专利权)人: | 山东森荣新材料股份有限公司 |
| 主分类号: | B32B15/20 | 分类号: | B32B15/20;B32B15/085;B32B27/08;B32B27/20;B32B17/02;B32B17/10;B32B7/12;B32B37/06;B32B37/10;B32B37/12;H05K1/05;H05K3/00 |
| 代理公司: | 淄博市众朗知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 37316 | 代理人: | 丁鹏鹏 |
| 地址: | 255000 山东省*** | 国省代码: | 山东;37 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 聚四氟乙烯 铜板 制备 方法 应用 | ||
1.一种聚四氟乙烯基覆铜板的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:
1)制备PFA基薄膜,其中,所述PFA基薄膜包括两层,一层为PFA与二氧化硅的混合材料,一层为二氧化硅;
所述制备PFA基薄膜包括如下步骤:
将二氧化硅粉末与PFA粉末混合,得到混合料A,然后按顺序铺设所述混合料A与二氧化硅粉末,并将铺设后的所述混合料A与所述二氧化硅粉末高温烧结,得到所述PFA基薄膜;
所述混合料A中,所述二氧化硅与所述PFA的质量比为1:4-6;
所述PFA基薄膜中,所述二氧化硅与所述混合料A的质量比为1:5-7;
2)制备PTFE基薄膜,所述PTFE基薄膜由炭黑与PTFE混合材料制成;
3)将所述PFA基薄膜与所述PTFE基薄膜热压,得到PFA-PTFE复合薄膜,其中,所述PTFE基薄膜与所述PFA基薄膜中第一侧相连,所述第一侧为所述PFA与所述二氧化硅的混合材料一侧;
4)将所述PFA-PTFE复合薄膜中所述二氧化硅一侧的表面处理,使所述二氧化硅一侧的表面呈多孔状;
将所述PFA-PTFE复合薄膜中所述二氧化硅一侧的表面处理包括如下步骤:将PFA-PTFE复合薄膜中二氧化硅一侧的表面通过机械法打磨平整,去掉表皮,露出二氧化硅颗粒;
将所述二氧化硅颗粒裸露的所述PFA-PTFE复合薄膜涂敷酸腐蚀溶液,使得表面的所述二氧化硅颗粒溶解,获得带有一侧表面为多孔二氧化硅的PFA-PTFE复合薄膜;
将所述PFA-PTFE复合薄膜带有多孔二氧化硅的一侧用氮气吹扫;
5)将铜箔、所述PFA-PTFE复合薄膜、玻纤板热压,得到聚四氟乙烯基覆铜板。
2.根据权利要求1所述的聚四氟乙烯基覆铜板的制备方法,其特征在于,制备所述PTFE基薄膜包括如下步骤:
将炭黑粉末与PTFE粉末混合,得到混合料B,将所述混合料B在高温下烧结,得到所述PTFE基薄膜。
3.根据权利要求2所述的聚四氟乙烯基覆铜板的制备方法,其特征在于,所述混合料B的高温烧结过程分为两段升温烧结,一段保温烧结,然后自然降至室温。
4.根据权利要求3所述的聚四氟乙烯基覆铜板的制备方法,其特征在于,一段升温烧结参数为:将温度从室温升温到250-300℃,升温速率55-70℃/h,压强为12-20MPa;二段升温烧结参数为:将温度从250-300℃升温到320-360℃,升温速率40-50℃/h,压强为8-12MPa;保温烧结参数为:在320-360℃,压强为10-15MPa的条件下保温8-12min。
5.根据权利要求1所述的聚四氟乙烯基覆铜板的制备方法,其特征在于,所述PFA基薄膜与PTFE基薄膜热压的热压参数为:在350-400℃、8-12MPa下热压90-120min。
6.根据权利要求1所述的聚四氟乙烯基覆铜板的制备方法,其特征在于,铜箔、所述PFA-PTFE复合薄膜、玻纤板热压的参数为:在30-50℃、180-220MPa下热压100-150min。
7.权利要求1-6任一项所述的聚四氟乙烯基覆铜板的制备方法制得的产品在电路基板中的应用。
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