[发明专利]无银电极的背接触太阳电池及其组件的封装方法

说明书

本申请公开了一种无银电极的背接触太阳电池及其组件的封装方法，该电池包括：沿电池厚度方向依次设置的正面钝化减反射膜、正面掺杂层、硅基体、背面本征非晶硅钝化层、背面掺杂层和透明导电膜，其中，硅基体为p型硅基体或n型硅基体，正面掺杂层的类型根据硅基体的类型设置；背面本征非晶硅钝化层是本征非晶硅层、钝化隧穿层和叠加层中的任一种，叠加层由本征非晶硅层与钝化隧穿层叠加生成；背面掺杂层包括p型掺杂层和n型掺杂层，两种掺杂层之间采用绝缘隔离层进行绝缘；透明导电膜在背面掺杂层中形成p型掺杂层和n型掺杂层之后，沉积在背面掺杂层上。该背接触太阳电池没有银浆消耗，降低了成本，并简化了制备工艺。

技术领域

本申请涉及太阳电池技术领域，尤其涉及一种无银电极的背接触太阳电池及其组件的封装方法。

背景技术

目前，太阳电池在各领域中的普及率逐渐提高，太阳电池是一种可以吸收太阳能并将其转化成电能的半导体部件。为了降本增效，太阳电池的金属化是当前的一种发展方向。

相关技术中，太阳电池金属化中，绝大部分太阳电池的金属电极是采用丝网印刷银浆后，再经高温烧结而形成。上述相关技术中的方案由于需要消耗较多的银浆，导致电池成本昂贵。并且，上述方案在制备太阳电池的过程中，以及在采用金属银电极太阳电池的组件的封装过程，容易对电池片造成损害，太阳电池及其组件在应用过程中的安全性较低。

因此，如何实现一种无银电极的太阳电池成为目前亟需解决的问题。

发明内容

本申请的目的旨在至少在一定程度上解决上述的技术问题之一。

为此，本申请的第一个目的在于提出一种无银电极的背接触太阳电池。该背接触太阳电池没有银浆消耗，降低了电池的成本，并且在制备过程中的安全性较高。

本申请的第二个目的在于提出一种无银电极的背接触太阳电池组件。

本申请的第三个目的在于提出一种无银电极的背接触太阳电池组件的封装方法。

本申请的第四个目的在于提出另一种无银电极的背接触太阳电池组件的封装方法。

本申请的第五个目的在于提出一种非临时性计算机可读存储介质。

为达上述目的，本申请第一方面提出了一种无银电极的背接触太阳电池，该无银电极的背接触太阳电池包括：沿电池厚度方向依次设置的正面钝化减反射膜、正面掺杂层、硅基体、背面本征非晶硅钝化层、背面掺杂层和透明导电膜，其中，

所述硅基体为p型硅基体或n型硅基体，所述正面掺杂层的类型根据所述硅基体的类型设置；

所述背面本征非晶硅钝化层是本征非晶硅层、钝化隧穿层和叠加层中的任一种，所述叠加层由所述本征非晶硅层与所述钝化隧穿层叠加生成；

所述背面掺杂层包括p型掺杂层和n型掺杂层，所述p型掺杂层和所述n型掺杂层之间采用绝缘隔离层进行绝缘；

所述透明导电膜在所述背面掺杂层中形成所述p型掺杂层和所述n型掺杂层之后，沉积在所述背面掺杂层上。

另外，本申请第一方面提出的无银电极的背接触太阳电池还具有如下附加的技术特征：

可选地，在一些实施例中，所述正面钝化减反射膜为单层膜或者由所述单层膜叠加生成的叠层膜，所述单层膜的材料为氮化硅或氧化铝。

可选地，在一些实施例中，在所述硅基体为所述p型硅基体的情况下，所述正面掺杂层为掺硼扩散层；在所述硅基体为所述n型硅基体的情况下，所述正面掺杂层为掺磷扩散层。

可选地，在一些实施例中，所述透明导电膜为透明氧化物导电薄膜，所述透明氧化物导电薄膜的材料为氧化铟锡ITO或者氧化铟锌IZO。

为实现上述目的，本发明第二方面提出了一种无银电极的背接触太阳电池组件，该组件包括：