[发明专利]一种晶圆检测方法、检测装置及检测系统在审
| 申请号: | 202310769404.6 | 申请日: | 2023-06-28 |
| 公开(公告)号: | CN116504664A | 公开(公告)日: | 2023-07-28 |
| 发明(设计)人: | 李鹏抟;黄柏霖;沈顺灶 | 申请(专利权)人: | 东莞市兆恒机械有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;G01R31/26 |
| 代理公司: | 深圳市华盛智荟知识产权代理事务所(普通合伙) 44604 | 代理人: | 胡国英 |
| 地址: | 523000 广东省*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 检测 方法 装置 系统 | ||
本发明公开了一种晶圆检测方法、检测装置及检测系统;其中,方法通过接收待测晶圆的晶圆图像信息、探针的探针针尖图像信息及现场环境的温度信息后,根据晶圆图像信息、探针针尖图像信息、温度信息输出控制信号控制探针移动至待测晶圆上的目标位置,并向待测晶圆发送检测信号后,接收待测晶圆反馈的参数信息,通过判断接收的参数信息是否满足预设要求从而实现对晶圆的检测;其通过结合晶圆图像信息、探针针尖图像信息和温度信息,将高低温环境下,温度对检测设备及晶圆造成影响考虑到对探针的移动控制中,从而解决了相关技术中,晶圆在进行高低温试验时,由于现场环境的温度影响导致的无法可靠准确对晶圆上进行检测的技术问题。
技术领域
本发明涉及半导体器件检测技术领域,尤其是涉及一种晶圆检测方法、检测装置及检测系统。
背景技术
半导体芯片作为电子器件的主要核心部件,其功能稳定性决定着整个电子产品是否能够正常实现其功能。
半导体芯片在生产制造中,通常以晶圆作为载体,制造商为了节约生产制造成本以及保持良好的产品良率,通常需要对晶圆进行检测以保证在进入下一道工序之前,待加工的晶圆上的芯片满足预设要求。相关技术中,晶圆还需要进行相关的高低温试验,并且需要检测在高低温环境下,晶圆上的芯片性能是否还满足预设要求,但是,由于晶圆的检测精度要求较高,在高低温环境下,不管是待检测的晶圆还是检测设备已经受到环境的温度影响,导致在常温下的检测方法可能无法适用。
因此,如何解决相关技术中,晶圆在高低温环境下的检测精度无法满足检测条件的技术问题,成为本领域技术人员亟需解决的技术问题。
发明内容
本发明实施例提出一种晶圆检测方法、检测装置及检测系统,用以解决相关技术中晶圆在进行高低温试验中,由于检测设备及待检测的晶圆受到环境的影响,无法对晶圆的性能参数进行准确稳定检测的技术问题。
第一方面,本发明的一个实施例提供了一种晶圆检测方法,包括:
接收晶圆图像信息、探针针尖图像信息,以及现场环境的温度信息;
根据所述晶圆图像信息、所述探针针尖图像信息和所述温度信息输出控制信号控制探针移动至待测晶圆上的目标位置;
向所述待测晶圆发送检测信号;
接收所述待测晶圆反馈的参数信息,并判断所述参数信息是否满足预设要求。
本发明实施例的FA连接器极性测试方法至少具有如下有益效果:
本发明实施例中一种晶圆检测方法,其通过接收待检测晶圆的晶圆图像信息、探针的探针针尖图像信息及现场环境的温度信息后,根据晶圆图像信息、探针针尖图像信息和温度信息输出控制信号控制探针移动至待测晶圆上的目标位置,并向待测晶圆发送检测信号后,接收待测晶圆反馈的参数信息,通过判断接收的参数信息是否满足预设要求从而实现对待测晶圆的检测;其通过结合晶圆图像信息、探针针尖位置信息和温度信息,将高低温环境下,温度对检测设备及晶圆造成影响考虑到对探针的移动控制中,从而解决了相关技术中,晶圆在进行高低温试验时,由于现场环境的温度影响导致的无法可靠准确对晶圆上进行检测的技术问题,提供了一种可在高低温环境下,仍然能够准确、高效对晶圆进行检测的方法。
根据本发明的另一些实施例的晶圆检测方法,所述根据所述晶圆图像信息、所述探针针尖图像信息和所述温度信息输出控制信号控制探针移动至所述晶圆上的目标位置包括:
根据所述晶圆图像信息和所述探针针尖图像信息获得距离参数;
根据所述温度信息获得补偿参数;
根据所述距离参数、所述补偿参数输出所述控制信号控制所述探针在X、Y、Z三个调节轴上调整,使得所述探针移动至所述目标位置。
根据本发明的另一些实施例的晶圆检测方法,所述补偿参数包括第一补偿参数和第二补偿参数,所述根据所述温度信息获取补偿参数包括:
将所述温度信息输入预测AI模型中,获得所述待测晶圆的所述第一补偿参数,以及所述探针的所述第二补偿参数。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





