[发明专利]太阳能电池和太阳能电池的制备方法

权利要求书

1.一种太阳能电池，其特征在于，包括：

衬底，具有沿第一方向相对的第一表面和第二表面；

隧穿氧化层，设置于所述第一表面和/或所述第二表面；

掺杂多晶硅层，设置于所述隧穿氧化层远离所述衬底的表面；

阻挡层，设置于所述太阳能电池的电极区，且与所述掺杂多晶硅层接触，所述阻挡层的掺杂类型与所述掺杂多晶硅层相同；以及

电极，设置与所述电极区且与所述阻挡层接触，其中，所述第一方向为所述衬底的厚度方向。

2.如权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述阻挡层设置于所述掺杂多晶硅层远离所述衬底的表面。

3.如权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述阻挡层沿所述第一方向深入至所述掺杂多晶硅层中预设深度，其中，所述预设深度等于或小于所述掺杂多晶硅层的厚度。

4.如权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述阻挡层设置于所述隧穿氧化层远离所述衬底的表面。

5.如权利要求4所述的太阳能电池，其特征在于，所述阻挡层远离所述衬底的表面与所述掺杂多晶硅层远离所述衬底的表面齐平，或比所述掺杂多晶硅层远离所述衬底的表面更靠近所述衬底，或比所述掺杂多晶硅层远离所述衬底的表面更远离所述衬底。

6.如权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述阻挡层的材料包括多晶硅、碳化硅和氧化锌中的一种或多种。

7.如权利要求6所述的太阳能电池，其特征在于，所述多晶硅的晶化率大于所述掺杂多晶硅层的晶化率。

8.如权利要求7所述的太阳能电池，其特征在于，所述多晶硅的晶化率等于或大于90%，所述掺杂多晶硅层的晶化率为80%~95%。

9.如权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述电极区的复合电流密度等于或小于100fA/cm²。

10.如权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，还包括介质层，所述介质层设置于所述掺杂多晶硅层和所述阻挡层远离所述衬底的表面。

11.如权利要求10所述的太阳能电池，其特征在于，所述电极贯穿所述介质层与所述阻挡层接触。

12.如权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述掺杂多晶硅层的厚度等于或大于3nm，且等于或小于200nm。

13.一种太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括步骤：

提供衬底，所述衬底具有沿第一方向相对的第一表面和第二表面；

在所述第一表面和/或所述第二表面形成隧穿氧化层；

在所述隧穿氧化层远离所述衬底的表面形成掺杂多晶硅层；

在所述太阳能电池的电极区形成阻挡层，所述阻挡层与所述掺杂多晶硅层接触，所述阻挡层的掺杂类型与所述掺杂多晶硅层相同；以及

形成电极，所述电极与所述阻挡层接触，其中，所述第一方向为所述衬底的厚度方向。

14.如权利要求13所述的制备方法，其特征在于，形成阻挡层的方法包括：

清洗所述掺杂多晶硅层表面；

在所述电极区形成与所述掺杂多晶硅层远离所述衬底的表面接触的所述阻挡层。

15.如权利要求13所述的制备方法，其特征在于，所述阻挡层的材料包括多晶硅、碳化硅和氧化锌中的一种或多种。