[发明专利]深沟槽隔离结构的制备方法

权利要求书

1.一种深沟槽隔离结构的制备方法，其特征在于，包括：

提供一个衬底，且在所述衬底上刻蚀出若干个初沟槽，所述初沟槽以第一深度探入至所述衬底；

在所述初沟槽上沉积多晶半导体材料，和/或非晶半导体材料的中间转换层，所述中间转换层覆盖所述初沟槽的侧壁和槽底；

将所述中间转换层氧化为中间氧化层，且以所述中间氧化层作为硬掩膜刻蚀所述初沟槽，得到以第二深度探入至所述衬底的深沟槽；

在所述深沟槽内填充隔离材料以形成隔离层。

2.如权利要求1所述的深沟槽隔离结构的制备方法，其特征在于，在所述衬底上刻蚀出若干个初沟槽，具体包括：

通过离子注入在所述衬底上扩散出掩埋层；

在所述掩埋层上通过化学气相沉积生成外延层；

在所述外延层上刻蚀出若干个所述初沟槽。

3.如权利要求2所述的深沟槽隔离结构的制备方法，其特征在于，在所述外延层上刻蚀出若干个所述初沟槽，具体包括：

在所述外延层上形成第一氧化层，且在所述第一氧化层上沉积氮化层；

在所述氮化层上沉积第二氧化层，以所述第二氧化层为硬掩膜刻蚀出若干个所述初沟槽，所述初沟槽贯穿所述第二氧化层、所述氮化层、所述第一氧化层、所述外延层以及所述掩埋层，且以所述第一深度探入至所述衬底。

4.如权利要求3所述的深沟槽隔离结构的制备方法，其特征在于，所述中间转换层覆盖所述第二氧化层，以及被所述初沟槽开口后的所述氮化层和所述第一氧化层的侧壁。

5.如权利要求1所述的深沟槽隔离结构的制备方法，其特征在于，所述多晶半导体材料包括多晶硅、多晶硅锗或多晶碳化硅；所述非晶半导体材料包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅或氧化钛。

6.如权利要求1所述的深沟槽隔离结构的制备方法，其特征在于，将所述中间转换层氧化为中间氧化层，具体包括：

在反应炉的预设条件下，通入氧气，和/或水汽至所述中间转换层，将所述中间转换层氧化为所述中间氧化层。

7.如权利要求3所述的深沟槽隔离结构的制备方法，其特征在于，在所述深沟槽内填充隔离材料以形成隔离层之前，还包括：

通过化学机械抛光依次去除所述中间氧化层以及所述第二氧化层，且暴露所述氮化层。

8.如权利要求3所述的深沟槽隔离结构的制备方法，其特征在于，形成所述隔离层的所述隔离材料包括氧化铝、氮化硅、氧化硅或者交替堆叠的氧化铝和氮化硅，以及交替堆叠的氧化硅和氮化硅；所述隔离层覆盖所述氮化层，且与所述氮化层的顶面平齐。

9.如权利要求2所述的深沟槽隔离结构的制备方法，其特征在于，所述衬底和所述外延层为掺杂有三价离子的P型衬底以及P型外延层，所述掩埋层为掺杂有五价离子的N型掩埋层。

10.如权利要求1-9任一项所述的深沟槽隔离结构的制备方法，其特征在于，所述深沟槽的槽体深度大于3um，所述中间转换层的沉积厚度为350-650Å。