[发明专利]关断控制电路、电池管理系统以及电池包有效

专利信息
申请号: 202310680171.2 申请日: 2023-06-09
公开(公告)号: CN116418328B 公开(公告)日: 2023-09-19
发明(设计)人: 毛豪;王思玥;王红义 申请(专利权)人: 拓尔微电子股份有限公司
主分类号: H03K17/687 分类号: H03K17/687;H02J7/00;H01M10/42
代理公司: 北京合智同创知识产权代理有限公司 11545 代理人: 李杰
地址: 710000 陕西省西安市高新*** 国省代码: 陕西;61
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 控制电路 电池 管理 系统 以及
【说明书】:

发明实施例提供了一种关断控制电路、电池管理系统以及电池包。所述关断控制电路包括:检测模块,与开关管的源极连接,所述开关管的漏极连接到电池正极,所述开关管的源极连接到负载或电源正极,所述开关管的栅极用于接收关断控制信号使所述开关管断开,所述检测模块用于检测所述源极与所述负载或所述电源正极断开时产生的电压变动;驱动模块,与所述检测模块连接,用于在所述源极的电压变动满足第一电压下降条件时生成第一驱动信号;下拉模块,与所述驱动模块和所述开关管的栅极连接,用于根据所述第一驱动信号,对所述关断控制信号的电压进行下拉。

技术领域

本发明实施例涉及电子电路技术领域,尤其涉及一种关断控制电路、电池管理系统以及电池包。

背景技术

可以将MOS管作为管理电池充放电的开关管的设置在电源正极侧来执行电池的充放电管理,例如,将MOS管的源极连接到电源正极侧,并且采用专门的栅极驱动电路对MOS管的栅极进行驱动,使MOS管接通或关断。在通过使MOS管的栅极电压降低来关断MOS管时,MOS管的源极与电源正极侧断开,使MOS管的源极电压骤降。

现有的MOS管的关断控制电路难以实现MOS管的栅极电压到源极电压的跟随,由于MOS管存在各种非理想效应和寄生因素,从而在MOS管中产生了较高的关断电流,无法实现可靠关断。

发明内容

有鉴于此,本发明实施例提供一种关断控制电路、电池管理系统以及电池包,以至少部分解决上述问题。

根据本发明实施例的第一方面,提供了一种关断控制电路,包括:检测模块,与开关管的源极连接,所述开关管的漏极连接到电池正极,所述开关管的源极连接到负载或电源正极,所述开关管的栅极用于接收关断控制信号使所述开关管断开,所述检测模块用于检测所述源极与所述负载或所述电源正极断开时产生的电压变动;驱动模块,与所述检测模块连接,用于在所述源极的电压变动满足第一电压下降条件时生成第一驱动信号;下拉模块,与所述驱动模块和所述开关管的栅极连接,用于根据所述第一驱动信号,对所述关断控制信号的电压进行下拉。

在本发明的另一实现方式中,所述检测模块包括第一PMOS管,所述第一PMOS管的源极连接到所述开关管的源极,所述第一PMOS管的栅极连接到所述开关管的栅极,所述第一PMOS管的漏极连接到所述驱动模块,用于向所述驱动模块输出所述源极的电压变动。

在本发明的另一实现方式中,所述驱动模块包括触发电路,所述触发电路的输入端连接到所述第一PMOS管的漏极,在所述源极的电压变动满足所述第一电压下降条件时,所述触发电路的输出端输出触发信号,所述触发信号的电压根据所述预设驱动参数进行偏置调节,得到所述第一驱动信号的电压。

在本发明的另一实现方式中,所述驱动模块还包括偏置电路,所述偏置电路的输入端连接到所述触发电路的输出端,用于接收所述触发信号,所述偏置电路的输出端输出所述第一驱动信号,所述偏置电路根据预设驱动参数对所述触发信号的电压进行偏置调节,得到所述第一驱动信号的电压。

在本发明的另一实现方式中,所述偏置电路包括由第二PMOS管和第三PMOS管组成的第一电流镜、第二NMOS管、第二电阻和第三电阻,所述第一电流镜的共用源极连接到偏置电压,所述第二PMOS管的漏极连接到所述第二NMOS管的漏极,所述第二NMOS管的源极连接到所述第二电阻的一端,所述第二电阻的另一端接地,所述第二NMOS管的栅极作为所述偏置电路的输入端。所述第三PMOS管的漏极连接到所述第三电阻的一端,所述第三电阻的另一端接地,所述偏置电路的输出端在所述第三PMOS管的漏极与所述第三电阻之间。

在本发明的另一实现方式中,所述触发电路为反相触发器,所述触发信号的电压与所述第一驱动信号的电压呈正相关变动。所述下拉模块包括第一NMOS管,所述第一NMOS管的漏极连接到所述开关管的栅极,所述第一NMOS管的源极接地,所述第一NMOS管的栅极连接到所述驱动模块,用于接收所述第一驱动信号使所述第一NMOS管接通。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于拓尔微电子股份有限公司,未经拓尔微电子股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202310680171.2/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top