[发明专利]一种LED和探测器的集成器件及其制备方法在审
申请号: | 202310605534.6 | 申请日: | 2023-05-25 |
公开(公告)号: | CN116632100A | 公开(公告)日: | 2023-08-22 |
发明(设计)人: | 李国强 | 申请(专利权)人: | 河源市众拓光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/153 | 分类号: | H01L31/153;H01L31/173;H01L31/18 |
代理公司: | 深圳市世联合知识产权代理有限公司 44385 | 代理人: | 罗志铭 |
地址: | 517000 广东省河源*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 led 探测器 集成 器件 及其 制备 方法 | ||
本申请实施例涉及半导体领域,尤其涉及一种LED和探测器的集成器件及其制备方法,集成器件包括导电衬底、LED外延层、探测器外延层、第一电极及第二电极;LED外延层设于导电衬底且与导电衬底电连接;探测器外延层设于导电衬底且与导电衬底之间绝缘设置,探测器外延层与LED外延层相互隔离设置;第一电极的两端分别与LED外延层远离导电衬底的一端和探测器外延层远离导电衬底的一端电连接;第二电极与探测器外延层靠近导电衬底的一端电连接。本申请将LED外延层与探测器外延层集成在同一器件上,使集成器件中同时具有通信功能以及探测功能,在保证LED外延层体积的前提下,减少集成器件的占用空间,提升器件通信过程的稳定性。
技术领域
本申请涉及半导体领域,尤其涉及一种LED和探测器的集成器件及其制备方法。
背景技术
为保证紫外LED器件的通信能力,目前通过在LED器件上外置探测器来实现对LED器件通信能力的监测,但在通信产品的有限LED器件安装空间内,新增外置的探测器,使安装空间内LED器件的安装空间减少,降低了LED器件通信稳定性。
发明内容
本申请提供一种LED和探测器的集成器件及其制备方法,用于解决LED器件通信稳定性差的问题。
为了解决上述技术问题,本申请实施例提供一种LED和探测器的集成器件,采用了如下所述的技术方案:
一种LED和探测器的集成器件,包括:
导电衬底;
LED外延层,所述LED外延层设于所述导电衬底且与所述导电衬底电连接;
探测器外延层,所述探测器外延层设于所述导电衬底且与所述导电衬底之间绝缘设置,所述探测器外延层与所述LED外延层相互隔离设置;
第一电极,所述第一电极的两端分别与所述LED外延层远离所述导电衬底的一端和所述探测器外延层远离所述导电衬底的一端电连接;
第二电极,所述第二电极与所述探测器外延层靠近所述导电衬底的一端电连接。
进一步的,所述LED外延层与所述探测器外延层分别独立包括依序设于所述导电衬底上的P型半导体层、有源层以及N型半导体层;
所述第一电极的两端分别与所述LED外延层的所述N型半导体层和所述探测器外延层的所述N型半导体层电连接;
所述第二电极与所述探测器外延层的所述P型半导体层电连接。
进一步的,所述LED外延层的所述N型半导体层与所述探测器外延层的所述N型半导体层的材料相同;和/或,
所述LED外延层的所述有源层与所述探测器外延层的所述有源层的材料相同;和/或,
所述LED外延层的所述P型半导体层与所述探测器外延层的所述P型半导体层的材料相同;和/或,
所述集成器件还包括反射镜层和/或第一绝缘层;所述反射镜层设于所述导电衬底与所述LED外延层的所述P型半导体层之间;所述第一绝缘层设于所述导电衬底与所述LED外延层的所述P型半导体层之间,以使所述导电衬底与所述探测器外延层之间绝缘设置。
进一步的,所述集成器件还包括保护层;所述保护层设于所述导电衬底上,所述反射镜层和/或所述第一绝缘层嵌设于所述保护层远离所述导电衬底的一端。
进一步的,所述LED外延层和所述探测器外延层之间设有隔离槽;
所述集成器件还包括第二绝缘层;所述第二绝缘层形成于所述LED外延层的外表面、所述探测器外延层的外表面以及所述隔离槽的内壁上;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的