[发明专利]一种LED和探测器的集成器件及其制备方法

权利要求书

1.一种LED和探测器的集成器件，其特征在于，包括：

导电衬底；

LED外延层，所述LED外延层设于所述导电衬底且与所述导电衬底电连接；

探测器外延层，所述探测器外延层设于所述导电衬底且与所述导电衬底之间绝缘设置，所述探测器外延层与所述LED外延层相互隔离设置；

第一电极，所述第一电极的两端分别与所述LED外延层远离所述导电衬底的一端和所述探测器外延层远离所述导电衬底的一端电连接；

第二电极，所述第二电极与所述探测器外延层靠近所述导电衬底的一端电连接。

2.根据权利要求1所述的LED和探测器的集成器件，其特征在于，所述LED外延层与所述探测器外延层分别独立包括依序设于所述导电衬底上的P型半导体层、有源层以及N型半导体层；

所述第一电极的两端分别与所述LED外延层的所述N型半导体层和所述探测器外延层的所述N型半导体层电连接；

所述第二电极与所述探测器外延层的所述P型半导体层电连接。

3.根据权利要求2所述的LED和探测器的集成器件，其特征在于，所述LED外延层的所述N型半导体层与所述探测器外延层的所述N型半导体层的材料相同；和/或，

所述LED外延层的所述有源层与所述探测器外延层的所述有源层的材料相同；和/或，

所述LED外延层的所述P型半导体层与所述探测器外延层的所述P型半导体层的材料相同；和/或，

所述集成器件还包括反射镜层和/或第一绝缘层；所述反射镜层设于所述导电衬底与所述LED外延层的所述P型半导体层之间；所述第一绝缘层设于所述导电衬底与所述LED外延层的所述P型半导体层之间，以使所述导电衬底与所述探测器外延层之间绝缘设置。

4.根据权利要求3所述的LED和探测器的集成器件，其特征在于，所述集成器件还包括保护层；

所述保护层设于所述导电衬底上，所述反射镜层和/或所述第一绝缘层嵌设于所述保护层远离所述导电衬底的一端。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的LED和探测器的集成器件，其特征在于，所述LED外延层和所述探测器外延层之间设有隔离槽；

所述集成器件还包括第二绝缘层；所述第二绝缘层形成于所述LED外延层的外表面、所述探测器外延层的外表面以及所述隔离槽的内壁上；

所述第一电极设于所述第二绝缘层远离所述导电衬底的一端，且所述第一电极的两端分别穿过所述第二绝缘层与所述LED外延层远离所述导电衬底的一端和所述探测器外延层远离所述导电衬底的一端电连接。

6.根据权利要求5所述的LED和探测器的集成器件，其特征在于，所述第二绝缘层的两端分别覆盖所述LED外延层的外表面和所述探测器外延层的外表面，且所述第二绝缘层的中部覆盖或填充所述隔离槽的内壁。

7.根据权利要求5所述的LED和探测器的集成器件，其特征在于，所述探测器外延层靠近所述导电衬底的一端设有朝向所述第二绝缘层的外侧延伸的延伸段；

所述延伸段与所述导电衬底之间绝缘设置；所述第二电极设于所述延伸段远离所述导电衬底的一端且与所述延伸段电连接。

8.一种LED和探测器的集成器件的制备方法，其特征在于，包括下述步骤：

提供外延衬底；

于所述外延衬底上形成初始外延层；

于所述初始外延层远离所述外延衬底的一端上形成导电衬底；

去除所述外延衬底，以暴露所述初始外延层远离所述导电衬底的一端；

对所述初始外延层进行蚀刻处理，得到相互隔离设置的LED外延层和探测器外延层；其中，所述LED外延层与所述导电衬底电连接，所述探测器外延层与所述导电衬底之间绝缘设置；

形成两端分别与所述LED外延层远离所述导电衬底的一端和所述探测器外延层远离所述导电衬底的一端电连接的第一电极、以及与所述探测器外延层靠近所述导电衬底的一端电连接的第二电极。