[发明专利]晶圆片片盒扫描系统在审
申请号: | 202310554132.8 | 申请日: | 2023-05-16 |
公开(公告)号: | CN116525499A | 公开(公告)日: | 2023-08-01 |
发明(设计)人: | 张庆;吴伟平 | 申请(专利权)人: | 广东长信精密设备有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;G01B11/00;G01B11/06 |
代理公司: | 北京五洲洋和知识产权代理事务所(普通合伙) 11387 | 代理人: | 张向琨 |
地址: | 511517 广东省*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 片片 扫描 系统 | ||
提供一种晶圆片片盒扫描系统,晶圆片片盒扫描系统包括Z轴移动平台、激光三角测量传感器以及PLC系统;激光三角测量传感器安装在Z轴移动平台上;激光三角测量传感器用于:随着Z轴移动平台带动激光三角测量传感器从上往下运动,通过投光孔向片盒发出水平的发射光并通过入光孔接收晶圆片反射的相对水平光倾斜的反射光以对片盒内的晶圆片进行三角测量,来确定从上往下的各晶圆片的上表面和下表面的Z轴坐标值、各晶圆片的厚度、各晶圆片的编号、相邻晶圆片的间距;PLC系统与Z轴移动平台和激光三角测量传感器通信连接,PLC系统接收并存储各晶圆片的上表面和下表面的Z轴坐标值、各晶圆片的厚度、各晶圆片的编号、相邻晶圆片的间距。
技术领域
本公开涉及半导体技术领域,更具体地涉及一种晶圆片片盒扫描系统。
背景技术
晶圆片是指硅晶棒切割形成的硅晶原片。
切割晶圆片后,开始进入研磨工艺。研磨晶圆片以减少正面和背面的锯痕和表面损伤。同时打薄晶圆片并帮助释放切割过程中积累的应力。研磨后,进入刻蚀和清洗工艺,使用氢氧化钠、乙酸和硝酸的混合物以减轻磨片过程中产生的损伤和裂纹。关键的倒角工艺是要将晶圆片的边缘磨圆,彻底消除将来电路制作过程中破损的可能性。
在倒角前,晶圆片以多个沿Z轴彼此间隔地支撑在片盒内且各晶圆片应在片盒中是平放的(即上下表面均应垂直于Z轴而为水平),片盒可以为开放形式或封闭形式。在进行倒角时,需要对片盒内的晶圆片进行确认,以便机械手从片盒中进行选择性地搬运以进行后续工艺处理。
发明内容
鉴于背景技术中存在的问题,本公开的目的在于提供一种晶圆片片盒扫描系统,其能对片盒内的晶圆片进行确认以能够供机械手从片盒中进行选择性地搬运。
由此,提供一种晶圆片片盒扫描系统,晶圆片片盒扫描系统包括Z轴移动平台、激光三角测量传感器以及PLC系统;Z轴移动平台能够沿Z轴上下移动;激光三角测量传感器安装在Z轴移动平台上以能够随着Z轴移动平台的上下移动而在Z轴上上下移动,激光三角测量传感器与Z轴移动平台通信连接,激光三角测量传感器具有投光孔和入光孔,投光孔和入光孔面向装载多个晶圆片的片盒内,片盒面向激光三角测量传感器一侧敞开以将多个晶圆片暴露给激光三角测量传感器,多个晶圆片沿Z轴彼此间隔地支撑在片盒内,且各晶圆片的厚度方向处于Z轴方向且为等厚度晶片,片盒处于空气环境中;激光三角测量传感器用于:随着Z轴移动平台带动激光三角测量传感器从上往下运动,通过投光孔向片盒发出水平的发射光并通过入光孔接收晶圆片反射的相对水平光倾斜的反射光以对片盒内的晶圆片进行三角测量,来确定从上往下的各晶圆片的上表面和下表面的Z轴坐标值、各晶圆片的厚度、各晶圆片的编号、相邻晶圆片的间距,其中,发射光的光斑的大小小于相邻晶圆片沿Z轴彼此间隔开的间距,处于最上方的晶圆片与片盒的顶面间距、相邻晶圆片沿Z轴彼此间隔开的间距、以及处于最上方的晶圆片与片盒的底面间距设置为相邻晶圆片中的处于上方的晶圆片的上表面在与水平面平行时上表面的反射光能够被入光孔接收到以及相邻晶圆片中的处于上方的晶圆片的下表面在与水平面平行时下表面的反射光能够被入光孔接收到;PLC系统与Z轴移动平台和激光三角测量传感器通信连接,PLC系统接收并存储激光三角测量传感器确定的从上往下的各晶圆片的上表面和下表面的Z轴坐标值、各晶圆片的厚度、各晶圆片的编号、相邻晶圆片的间距。
本公开的有益效果如下:在本公开的晶圆片片盒扫描系统中,通过Z轴移动平台、激光三角测量传感器以及PLC系统,能够确定片盒中的各晶圆片的上表面和下表面(即上边缘和下边缘)的Z轴坐标值、各晶圆片的厚度、各晶圆片的编号、相邻晶圆片的间距,从而实现对片盒内的晶圆片的确认以能够供与PLC系统通信的机械手从片盒中进行精确地选择性地搬运。
附图说明
图1是根据本公开的晶圆片片盒扫描系统的示意图。
其中,附图标记说明如下:
100晶圆片片盒扫描系统 4HMI
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造