[发明专利]体声波谐振器、用于制作体声波谐振器的方法

说明书

本申请涉及谐振器技术领域，公开一种体声波谐振器、用于制作体声波谐振器的方法，其中体声波谐振器包括：第一电极结构；第二电极结构；压电层，位于第一电极结构和第二电极结构之间；第一介质层，位于压电层和第二介质层之间；第二介质层，形成位于第一介质层内的第一方形凸起和第二方形凸起；第二介质层通过第一方形凸起和第二方形凸起与压电层围合形成空腔；第二电极结构至少一端位于空腔内部；谐振载体，位于第二介质层远离第一介质层的一侧，连接第二介质层。这样，在刻蚀拥有方形凸起的体声波谐振器的过程中，第二介质层不需要淀积很厚，使得后续在使用CMP工艺时，需要减薄的第二介质层少，从而降低了制作该体声波谐振器的工艺成本。

技术领域

本申请涉及谐振器技术领域，例如涉及一种体声波谐振器、用于制作体声波谐振器的方法。

背景技术

在制作体声波谐振器的过程中，通常会对淀积的材料进行刻蚀形成锥形通孔，再在刻蚀后的材料上通过CVD（ChemicalVapor Deposition，化学气相沉积）工艺或ALD（atomic layerdeposition，原子层沉积）工艺淀积新的材料以填充锥形通孔，然后通过CMP（chemicalmechanical polish，化学机械研磨）工艺对新的材料进行减薄，使其符合体声波谐振器的制作要求。例如：在牺牲层上进行刻蚀形成锥形通孔，再在刻蚀后的牺牲层上通过CVD或ALD工艺淀积截止边界层或键合层以填充锥形通孔，然后通过CMP工艺对截止边界层或键合层进行减薄。但是，在淀积新的材料的过程中，新的材料通常同时淀积在锥形通孔底部、锥形通孔侧壁和锥形通孔所在材料的外表面。而锥形通孔所在材料的外表面的淀积速率大于锥形通孔底部的淀积速率。因此，在新的材料填充满锥形通孔的过程中，锥形通孔所在材料的外表面被淀积了很厚的新材料。导致后续在使用CMP工艺时，需要减薄的新材料多，从而使制作体声波谐振器的工艺成本较高。

发明内容

为了对披露的实施例的一些方面有基本的理解，下面给出了简单的概括。所述概括不是泛泛评述，也不是要确定关键／重要组成元素或描绘这些实施例的保护范围，而是作为后面的详细说明的序言。

本发明实施例提供一种体声波谐振器、用于制作体声波谐振器的方法，以降低制作体声波谐振器的工艺成本。

在一些实施例中，所述体声波谐振器，包括：第一电极结构；第二电极结构；压电层，位于所述第一电极结构和所述第二电极结构之间；第一介质层，位于所述压电层和第二介质层之间；第二介质层，形成位于所述第一介质层内的第一方形凸起和第二方形凸起；所述第二介质层通过所述第一方形凸起和所述第二方形凸起与所述压电层围合形成空腔；所述第二电极结构至少一端位于所述空腔内部；谐振载体，位于所述第二介质层远离所述第一介质层的一侧，连接所述第二介质层；第二介质层厚度大于1/2的凸起宽度；所述第二介质层厚度为第一介质层和谐振载体之间的第二介质层的厚度；所述凸起宽度为空腔与第一介质层之间的第二介质层的厚度。

在一些实施例中，第一电极结构，包括：第一电极层，位于所述压电层远离第二电极结构的一侧；第一钝化层，位于所述第一电极层远离所述压电层的一侧，连接所述第一电极层。

在一些实施例中，第二电极结构，包括：第二电极层，位于所述压电层远离第一电极结构的一侧；第二钝化层，位于所述第二电极层远离所述压电层的一侧，连接所述第二电极层。

在一些实施例中，谐振载体，包括：键合层，位于衬底和所述第二介质层之间；衬底，通过所述键合层连接所述第二介质层的非连接侧；所述非连接侧为第二介质层未参与围合形成空腔且未连接第一介质层的一侧。

在一些实施例中，谐振载体，还包括：第三介质层，位于所述第二介质层和所述键合层之间；所述第三介质层的一侧连接所述第二介质层的非连接侧；所述第三介质层的另一侧连接所述键合层。

在一些实施例中，所述第二介质层由多晶硅、非晶硅、氮化硅、氮化铝、氮化镓和氮化钽中的一种或多种制成。