[发明专利]体声波谐振器、用于制作体声波谐振器的方法

权利要求书

1.一种体声波谐振器，其特征在于，包括：

第一电极结构；

第二电极结构；

压电层，位于所述第一电极结构和所述第二电极结构之间；

第一介质层，位于所述压电层和第二介质层之间；

第二介质层，形成位于所述第一介质层内的第一方形凸起和第二方形凸起；所述第二介质层通过所述第一方形凸起和所述第二方形凸起与所述压电层围合形成空腔；所述第二电极结构至少一端位于所述空腔内部；

谐振载体，位于所述第二介质层远离所述第一介质层的一侧，连接所述第二介质层；第二介质层厚度大于1/2的凸起宽度；所述第二介质层厚度为第一介质层和谐振载体之间的第二介质层的厚度；所述凸起宽度为空腔与第一介质层之间的第二介质层的厚度。

2.根据权利要求1所述的体声波谐振器，其特征在于，第一电极结构，包括：

第一电极层，位于所述压电层远离第二电极结构的一侧；

第一钝化层，位于所述第一电极层远离所述压电层的一侧，连接所述第一电极层。

3.根据权利要求1所述的体声波谐振器，其特征在于，第二电极结构，包括：

第二电极层，位于所述压电层远离第一电极结构的一侧；

第二钝化层，位于所述第二电极层远离所述压电层的一侧，连接所述第二电极层。

4.根据权利要求1所述的体声波谐振器，其特征在于，谐振载体，包括：

键合层，位于衬底和所述第二介质层之间；

衬底，通过所述键合层连接所述第二介质层的非连接侧；所述非连接侧为第二介质层未参与围合形成空腔且未连接第一介质层的一侧。

5.根据权利要求4所述的体声波谐振器，其特征在于，谐振载体，还包括：

第三介质层，位于所述第二介质层和所述键合层之间；所述第三介质层的一侧连接所述第二介质层的非连接侧；所述第三介质层的另一侧连接所述键合层。

6.根据权利要求1至5任一项所述的体声波谐振器，其特征在于，所述第二介质层由多晶硅、非晶硅、氮化硅、氮化铝、氮化镓和氮化钽中的一种或多种制成。

7.一种用于制作权利要求1至6任一项所述的体声波谐振器的方法，其特征在于，所述方法包括：

在预设的待移除层上依次淀积缓冲层、压电层、第二电极层和第二钝化层；

刻蚀所述第二电极层和所述第二钝化层，形成第二电极结构；所述第二电极结构暴露出所述压电层；

在暴露出的压电层和所述第二电极结构上淀积第一介质层；

刻蚀所述第一介质层，形成带有第一方形通孔和第二方形通孔的第一介质层；

在刻蚀后的第一介质层上淀积第二介质层，形成位于第一介质层内的第一方形凸起和第二方形凸起；将所述第二介质层通过所述第一方形凸起和所述第二方形凸起与所述压电层围合的第一介质层确定为待腐蚀区域；

在所述第二介质层远离所述第一介质层的一侧，形成连接所述第二介质层的谐振载体；

在所述压电层远离所述第二电极结构的一侧形成第一电极结构；

腐蚀所述待腐蚀区域，形成空腔。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，形成连接所述第二介质层的谐振载体，包括：

在所述第二介质层远离所述第一介质层的一侧淀积键合层；

将预设的衬底与所述键合层键合。

9.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，形成连接所述第二介质层的谐振载体，包括：

在所述第二介质层远离所述第一介质层的一侧淀积第三介质层；

在所述第三介质层远离所述第二介质层的一侧淀积键合层；

将预设的衬底与所述键合层键合。

10.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，在所述压电层远离所述第二电极结构的一侧形成第一电极结构，包括：

移除所述待移除层和所述缓冲层；

在所述压电层远离所述第二电极层的一侧淀积第一电极层；

在所述第一电极层上淀积第一钝化层；

刻蚀所述第一电极层和所述第一钝化层，形成第一电极结构。