[发明专利]电平转换电路、芯片及电子设备

说明书

本公开实施例中提供了一种电平转换电路、芯片及电子设备，电平转换电路包括低压工作模块、高压工作模块、低电压转换模块，低电压转换模块包括第一推挽结构、第二推挽结构、第一开关模块及第二开关模块；第一推挽结构的控制端连接高压工作模块的输入端；第二推挽结构的控制端连接高压工作模块的输出端；第一推挽结构和第二推挽结构的第一端连接高压工作模块的电源端；第一推挽结构的第二端连接第一开关模块的第一端，第二推挽结构的第二端连接第二开关模块的第一端；第一推挽结构的输出端连接第一开关模块的控制端，第二推挽结构的输出端连接第二开关模块的控制端。本实施例使得输出的最低电压为期望的地电压。

技术领域

本发明涉及集成电路领域，具体涉及一种电平转换电路、芯片及电子设备。

背景技术

在设计电路时，不同芯片的引脚使用的电压不同，比如常见的1.8V、3.3V、5V等，在两种不同电压芯片引脚之间进行通讯时候，就需要使得两边的电平都符合自身的需求且能够进行正常的通讯，此时需要电平转换电路进行电平转换。

如图1所示，现有的电平转换电路一般分为2个电压工作模块：LVVDD-LVGND的低压工作模块和HVVDD-HVGND的高压工作模块。PWM_IN_LV是低压工作模块的输入信号，I0和I1是低压工作模块的反相器。M1和M2是高压NMOS管，用于将PWM_IN_LV的低压信号转换为电流信号传递到高压工作模块。M3和M4管为高压PMOS管，用于钳位V1和PWM_OUT_HV的电压最低为HVGND+VTH，其中VTH指M3和M4的阈值电压，这里取正电压值。M5和M6管是低压PMOS管，用于把流过M1和M2的电流转换为PWM_OUT_HV的电压信号。

由于V2和V3节点电容影响，不同PWM_IN_LV时序会让HVVDD通过M5和M3给V2充电，通过M6和M4给V3充电。流过M5和M6的电流为其饱和电流，在此电流流过M3和M4的t1/t2时间之内，V1和PWM_OUT_HV电压为HVGND+VML，VML指M3和M4的米勒平台电压，这里取正电压值。具体时序图如图2和图3所示。

从图中可以看出，V1和PWM_OUT_HV输出的最低电压为HVGND+VTH，而期望PWM_OUT_HV输出的最低电压为HVGND，现有的电平转换电路不能完全满足工作需求。

发明内容

有鉴于此，本公开实施例提供一种电平转换电路、芯片及电子设备，至少部分解决现有技术中存在的问题。

第一方面，本公开实施例提供了一种电平转换电路，包括低压工作模块、高压工作模块，所述低压工作模块的输出端与所述高压工作模块的输入端连接；其还包括低电压转换模块，所述低电压转换模块包括第一推挽结构、第二推挽结构、第一开关模块以及第二开关模块；其中：

所述第一推挽结构的控制端连接所述高压工作模块的输入端；所述第二推挽结构的控制端连接所述高压工作模块的输出端；所述第一推挽结构的第一端和所述第二推挽结构的第一端连接高压工作模块的电源端；所述第一推挽结构的第二端连接所述第一开关模块的第一端，所述第二推挽结构的第二端连接所述第二开关模块的第一端；所述第一推挽结构的输出端连接所述第一开关模块的控制端，所述第二推挽结构的输出端连接所述第二开关模块的控制端；所述第一开关模块以及第二开关模块的第二端连接至高压工作模块的地电压端。

根据本公开实施例的一种具体实现方式，所述第一推挽结构包括第一PMOS管以及第一NMOS管，所述第一PMOS管的栅极与所述第一NMOS管的栅极连接，并形成所述第一推挽结构的控制端；所述第一PMOS管的源极为所述第一推挽结构的第一端；所述第一NMOS管的源极为所述第一推挽结构的第二端；所述第一PMOS管的漏极与所述第一NMOS管的漏极连接，并形成所述第一推挽结构的输出端。