[发明专利]电平转换电路、芯片及电子设备

权利要求书

1.一种电平转换电路，包括低压工作模块、高压工作模块，所述低压工作模块的输出端与所述高压工作模块的输入端连接；其特征在于，还包括低电压转换模块，所述低电压转换模块包括第一推挽结构、第二推挽结构、第一开关模块以及第二开关模块；其中：

所述第一推挽结构的控制端连接所述高压工作模块的输入端；所述第二推挽结构的控制端连接所述高压工作模块的输出端；所述第一推挽结构的第一端和所述第二推挽结构的第一端连接高压工作模块的电源端；所述第一推挽结构的第二端连接所述第一开关模块的第一端，所述第二推挽结构的第二端连接所述第二开关模块的第一端；所述第一推挽结构的输出端连接所述第一开关模块的控制端，所述第二推挽结构的输出端连接所述第二开关模块的控制端；所述第一开关模块以及第二开关模块的第二端连接至高压工作模块的地电压端。

2.根据权利要求1所述的电平转换电路，其特征在于，所述第一推挽结构包括第一PMOS管以及第一NMOS管，所述第一PMOS管的栅极与所述第一NMOS管的栅极连接，并形成所述第一推挽结构的控制端；所述第一PMOS管的源极为所述第一推挽结构的第一端；所述第一NMOS管的源极为所述第一推挽结构的第二端；所述第一PMOS管的漏极与所述第一NMOS管的漏极连接，并形成所述第一推挽结构的输出端。

3.根据权利要求1所述的电平转换电路，其特征在于，所述第二推挽结构包括第二PMOS管以及第二NMOS管，所述第二PMOS管的栅极与所述第二NMOS管的栅极连接，并形成所述第二推挽结构的控制端；所述第二PMOS管的源极为所述第二推挽结构的第一端；所述第二NMOS管的源极为所述第二推挽结构的第二端；所述第二PMOS管的漏极与所述第二NMOS管的漏极连接，并形成所述第二推挽结构的输出端。

4.根据权利要求1所述的电平转换电路，其特征在于，所述第一推挽结构包括第一PNP型晶体管以及第一NPN型晶体管，所述第一PNP型晶体管的基极与所述第一NPN型晶体管的基极连接，并形成所述第一推挽结构的控制端；所述第一PNP型晶体管的发射极为所述第一推挽结构的第一端；所述第一NPN型晶体管的发射极为所述第一推挽结构的第二端；所述第一PNP型晶体管的集电极与所述第一NPN型晶体管的集电极连接，并形成所述第一推挽结构的输出端。

5.根据权利要求1所述的电平转换电路，其特征在于，所述第二推挽结构包括第二PNP型晶体管以及第二NPN型晶体管，所述第二PNP型晶体管的基极与所述第二NPN型晶体管的基极连接，并形成所述第二推挽结构的控制端；所述第二PNP型晶体管的发射极为所述第二推挽结构的第一端；所述第二NPN型晶体管的发射极为所述第二推挽结构的第二端；所述第二PNP型晶体管的集电极与所述第二NPN型晶体管的集电极连接，并形成所述第二推挽结构的输出端。

6.根据权利要求1所述的电平转换电路，其特征在于，所述第一开关模块以及第二开关模块为NMOS管，所述第一开关模块以及第二开关模块的控制端为NMOS管的栅极；所述第一开关模块以及第二开关模块的第一端为NMOS管的漏极；所述第一开关模块以及第二开关模块的第二端为NMOS管的源极。

7.根据权利要求1所述的电平转换电路，其特征在于，所述第一开关模块以及第二开关模块为NPN型晶体管，所述第一开关模块以及第二开关模块的控制端为NPN型晶体管的基极，所述第一开关模块以及第二开关模块的第一端为NPN型晶体管的集电极，所述第一开关模块以及第二开关模块的第二端为NPN型晶体管的发射极。