[发明专利]一种用于晶锭生长过程中的长晶炉除尘装置在审
申请号: | 202310542014.5 | 申请日: | 2023-05-15 |
公开(公告)号: | CN116536774A | 公开(公告)日: | 2023-08-04 |
发明(设计)人: | 奚衍罡 | 申请(专利权)人: | 南通罡丰科技有限公司 |
主分类号: | C30B35/00 | 分类号: | C30B35/00;C30B29/36;F27D25/00 |
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地址: | 226000 江苏省南通*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 用于 生长 过程 中的 长晶炉 除尘 装置 | ||
本发明属于长晶炉技术领域,尤其是一种用于晶锭生长过程中的长晶炉除尘装置,针对长晶炉内壁钙质杂质有很强的附着性,很难将其去除的问题,现提出以下方案,包括水平设置的固定顶环,所述固定顶环的圆周内壁通过铰接固定有四个圆周阵列分布的固定夹爪,所述固定顶环的底部螺纹套接有圆周阵列分布的八组紧固机构,且每组紧固机构包括两个锁紧螺栓,所述固定顶环的圆周外壁中间位置开设有外环槽。本发明通过设置固定中轴为固定不动,通过清理刷轴筒的转动过程使得固定轴套圆周位移,由于啮合的转轴端齿轮与中轴固定齿轮,使得第二清理柱实现转动,对长晶炉内壁顽固的钙物质杂质进行搅落的过程,可以提高清理的效果。
技术领域
本发明涉及长晶炉技术领域,尤其涉及一种用于晶锭生长过程中的长晶炉除尘装置。
背景技术
碳化硅是制作碳化硅晶片的原料,并且碳化硅晶片是LED固体照明和高频率器件等半导体领域中使用的芯片原料,在科技及军工领域中都占据着很重要的角色,碳化硅晶片的形成是通过生长过程实现的,主要通过长晶炉内部对原料的熔炼,随后通过升降的基座在熔炼原料中基于长晶的环境,随着上升碳化硅会逐渐生长成碳化硅晶柱,通过后续的切割形成碳化硅晶片。
现有的碳化硅长晶炉存在以下问题:由于碳化硅的原材料是砂子以及木屑等原材料,砂子内含有大量的钙质等矿物质,木屑在燃烧过程中产生大量炭黑,因此在长晶炉长时间使用后,内壁上会附着大量的炭黑以及带有钙质等固体杂质,现在的这些炭黑等杂尘的去除是通过人工的刷落后抽出,针对炭黑等物质可以很容易去除,但是针对钙质杂质有很强的附着性,很难将其去除,而现有技术不易解决此类问题,因此,亟需用于晶锭生长过程中的长晶炉除尘装置来解决上述问题。
发明内容
基于长晶炉内壁钙质杂质有很强的附着性,很难将其去除的技术问题,本发明提出了一种用于晶锭生长过程中的长晶炉除尘装置。
本发明提出的一种用于晶锭生长过程中的长晶炉除尘装置,包括水平设置的固定顶环,所述固定顶环的圆周内壁通过铰接固定有四个圆周阵列分布的固定夹爪,所述固定顶环的底部螺纹套接有圆周阵列分布的八组紧固机构,且每组紧固机构包括两个锁紧螺栓,所述固定顶环的圆周外壁中间位置开设有外环槽,所述外环槽的顶部和底部之间滑动卡接有环绕卡块,所述环绕卡块的外壁固定有驱动块,所述驱动块的一端位置套设有两个水平设置的伸缩推杆,且两个伸缩推杆的输出轴之间通过螺栓固定有同一个竖直设置的固定清理箱,所述固定清理箱的底部两侧位置均套接有滑动设置的升降导杆,两个所述升降导杆的底部固定有升降清理箱,所述固定清理箱和升降清理箱的内部均设置有清理机构。
优选地,所述环绕卡块与外环槽之间设置有环形驱动机构,所述环形驱动机构包括驱动块底部内壁开设的电机舱室和环绕卡块底部开设的驱动齿轮腔室,所述驱动齿轮腔室的底部贯穿设置,所述驱动块位于电机舱室的内部通过螺栓固定有驱动电机,所述驱动电机的输出轴贯穿延伸至驱动齿轮腔室的内部,所述驱动电机的输出轴位于驱动齿轮腔室的内部位置套接有驱动齿轮,所述驱动齿轮的圆周底部凸出环绕卡块的底部水平面。
优选地,所述环形驱动机构还包括外环槽底部位置焊接固定的环槽齿条,所述驱动齿轮的圆周外壁底部与环槽齿条的顶部相啮合设置。
优选地,所述固定清理箱和升降清理箱的端位置均设置有护罩机构,所述护罩机构包括升降清理箱一端内壁开设的伸缩架框槽,所述伸缩架框槽的内壁滑动套设有伸缩架,所述伸缩架的一端四周位置固定有密闭护罩,所述升降清理箱的另一端内壁位于伸缩架框槽内部四角的位置嵌合固定有伸缩电机,且伸缩电机的输出轴凸出至伸缩架框槽的内部,所述伸缩电机的输出轴均套接固定有推进丝杆,所述推进丝杆与伸缩架另一端内壁之间相螺纹套接设置。
优选地,所述清理机构包括固定清理箱一侧顶部套接的除尘顶管,所述固定清理箱和升降清理箱的一端均设置有落尘腔室,且固定清理箱和升降清理箱的另一端内壁开设有竖直设置的吸尘内腔道,所述固定清理箱的吸尘内腔道的顶部与除尘顶管相套接,所述升降清理箱的吸尘内腔道的顶部套接有竖直设置的伸缩吸尘管,且伸缩吸尘管的顶部与固定清理箱内开设的吸尘内腔道的底部相套接设置。
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