[发明专利]一种光发射器件测试方法在审

专利信息
申请号: 202310533564.0 申请日: 2023-05-12
公开(公告)号: CN116465606A 公开(公告)日: 2023-07-21
发明(设计)人: 傅琰;吕利平;顾陈焘 申请(专利权)人: 上海剑桥科技股份有限公司
主分类号: G01M11/02 分类号: G01M11/02;G01R31/00
代理公司: 上海港慧专利代理事务所(普通合伙) 31402 代理人: 郭嘉莹
地址: 201114 上海市闵*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 发射 器件 测试 方法
【说明书】:

发明涉及技术领域,具体地说,涉及一种光发射器件测试方法,包括于测试装置上连接光发射器件,用以对所述光发射器件进行测试;于测试状态下,改变所述光发射器件的工作电流,以分别获取在不同的所述工作电流下所述光发射器件的测试数据;基于所述测试数据判断所述光发射器件受反射光的影响程度;本申请中,对于发光芯片工作电流的改变,其改变的过程时间较短,相较于对温度的改变,其测试效率更高,在短时间内,能够在多个不同的工作电流之间转换;进一步的,以改变工作电流的方式等效改变温度,能够在一定的时间条件下,成倍数的对处于不同工作环境下的光发射器件进行测试,测试结果更为准确和稳定。

技术领域

本发明涉及技术领域,具体地说,涉及一种光发射器件测试方法。

背景技术

随着数据中心规模的扩大和升级,高速光模块越来越普及。光模块的核心组件是光发射器件(TOSA),TOSA的性能好坏直接影响模块的性能。TOSA中发光芯片(LD chip)发出激光束之后需要经TOSA内部光学组件做准直对齐,激光束在经过光学组件的时候不可避免要发生反射,如果反射光重新回到LD chip前端面,将被谐振腔放大,成为噪声干扰原信号,所以TOSA在设计之时会使用夹角等方式避免反射光回到LD chip前端面。但是,工艺的偏差永远存在,所以生产中肯定会存在一定比例的TOSA会受反射光的影响。

由于激光光束是一种波,所以当反射光在LD chip端面干涉加强时,反射对原信号的干扰是最强的,当反射光LD chip端面干涉相消时,反射对原信号的干扰是最弱的。高速光模块的工作范围常见的有Itemp/Ctemp两种,无论是哪种,都要求产品能在一定的温度区间内正常工作,温度的变化必然导致LD chip发出的激光经光组件反射后回到LD chip前端面的光程发生变化,所以需要所有温度下反射光都不能影响原信号的TOSA才算良品。但是测试的时候不可能所有的温度点都做测试。

目前,通过改变温度的方式,通过在多个温度条件下进行测试来筛选良品TOSA,一般的测试最多只会测试3个温度点,3个温度点合格则产品合格,但是除了这3个温度点以外的其他温度点是否会因为反射光劣化无法保证。

上述方法至少存在以下问题:

(1)改变温度需要一定的升温和降温的过程,也即改变温度需要一定的等待时间,测试效率低。

(2)测试的温度点较少,且在一定的时间内,所能够测试的温度点有限。

发明内容

针对现有技术中存在的上述问题,本发明提供了一种光发射器件测试方法。

为了解决上述技术问题,本发明通过下述技术方案得以解决:

一种光发射器件测试方法,其包括,

于测试装置上连接光发射器件,用以对所述光发射器件进行测试;

于测试状态下,改变所述光发射器件的工作电流,以分别获取在不同的所述工作电流下所述光发射器件的测试数据;

基于所述测试数据判断所述光发射器件受反射光的影响程度。

作为优选,执行于测试状态下,改变所述光发射器件的工作电流,以分别获取在不同的所述工作电流下所述光发射器件的测试数据的步骤时,具体包括,

于不同的所述工作电流下,分别获取所述光发射器件的发光芯片所发出的光的波长λ;

基于所述发光芯片所发出的光的波长λ,获取所述波长λ与所述发光芯片前端面到反射面的距离L之间的光程差公式2L=n×λ;

基于所述光程差公式判断所述光发射器件受反射光的影响程度。

作为优选,于所述光程差公式满足2L=n×λ时,表征所述光发射器件不受所述反射光的影响;

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