[发明专利]一种晶棒切割工艺及晶棒切割系统

说明书

本发明涉及晶体加工技术领域。本发明公开了一种晶棒切割工艺，其采用切割装置切割晶棒，沿切割装置的进给方向，设定切割装置与晶棒接触的部位为接触部；当切割装置切割晶棒时，向接触部或切割装置喷淋切割液；在切割过程中，切割液的温度先减小后增大。本发明还公开了一种晶棒切割系统。本申请中通过调整晶棒切割过程中不同时刻的切割液温度，降低切割过程中产生的热量差，保证晶棒的热应力基本一致，降低切割后获得的晶片的弯曲度，提高晶片的平整度。

技术领域

本发明涉及晶体加工技术领域，尤其是涉及一种晶棒切割工艺及晶棒切割系统。

背景技术

在晶体加过过程中，需要对晶体进行切割，为保证切割的质量，切割过程中需要向切割处喷淋切割液。相关技术中，采用对切割处喷淋恒温切割液，切割完成后获得的晶片存在弯曲无法保证晶片具有较高平整度的情况。

发明内容

本申请实施例通过根据晶体切割过程中所处的不同阶段调整切割液的温度，解决相关技术中晶体切割过程中存在的所得晶片平整度不高的问题，保证切割后所得的晶片具有较高的平整度。

本申请实施例的一方面提供了一种晶棒切割工艺，其采用切割装置切割晶棒；其具体包括以下步骤：沿切割装置的进给方向，设定切割装置与晶棒接触的部位为接触部；当切割装置切割晶棒时，向接触部或切割装置喷淋切割液；在切割过程中，切割液的温度先减小后增大。

进一步地，晶棒的直径大于等于4英寸且小于等于6英寸。

进一步地，切割装置切割晶棒时，切割液的最高温度与切割液的最低温度之间的差值为大于等于2℃且小于等于10℃。

进一步地，切割装置切割晶棒时，切割液的最高温度为小于等于32℃。

进一步地，切割装置切割晶棒时，切割液的最高温度为小于等于30℃。

进一步地，切割装置切割晶棒时，切割液的最低温度为大于等于20℃。

进一步地，在切割过程中，切割液的温度随着接触部的尺寸的增大而减小，切割液的温度随着接触部的尺寸的减小而增大。

进一步地，接触部的尺寸包括接触部的接触长度或接触部的接触面积。

进一步地，随着切割装置的进给量增大，切割液的温度而先减小后增大。

进一步地，设定切割装置切割晶棒时具有预设进给行程，当进给量为预设进给行程的一半时，切割液达到最低温度。

本申请实施例的另一方面还提供了一种晶棒切割系统，用于切割晶棒，其包括切割装置、喷淋装置、储液装置和温控装置；切割装置用于切割晶棒，沿切割装置的进给方向，设定切割装置与晶棒接触的部位为接触部；喷淋装置靠近接触部设置且向接触部或切割装置喷淋切割液；储液装置至少部分连接至喷淋装置，储液装置用于存储切割液；温控装置至少部分连接至储液装置或喷淋装置，温控装置用于根据接触部的尺寸或切割装置的进给量调节喷淋装置喷淋的切割液的温度。

本申请中通过调整晶棒切割过程中不同时刻的切割液温度，降低切割过程中产生的热量差，保证晶棒的热应力基本一致，降低切割后获得的晶片的弯曲度，提高晶片的平整度。

附图说明

图1为本申请一种实施方式中晶棒切割系统的一种结构示意图；

图2为本申请另一种实施方式中晶棒切割系统的一种结构示意图；

图3为本申请实施例1-3及对比例1中warp值的对比图；

图4为本申请实施例1-3及对比例1中warp值的经验累积分布函数图；

图5为本申请实施例1中的过程能力报告图；

图6为本申请实施例2中的过程能力报告图；