[发明专利]一种低相移的宽带数控有源衰减器

权利要求书

1.一种低相移的宽带数控有源衰减器，包括输入匹配网络、共源放大器、共栅放大器、输出匹配网络、增益控制单元和反相器单元；其特征在于，还包括相移补偿单元1和相移补偿单元2；所述相移补偿单元1包含电感L_C，电感L_C的第一端连接至共源放大器晶体管M_S的漏极，电感L_C的第二端连接至共栅放大器晶体管M₀的源极；

所述相移补偿单元2包括N个特定大小的反相器INV_N1，每一个反相器INV_N1的输入端连接至反相器单元INV_N2的输出，每一个反相器INV_N1的输出端连接至增益控制单元的M_N的栅极。

2.根据权利要求1所述的一种低相移的宽带数控有源衰减器，其特征在于，所述输入匹配网络用于输入阻抗匹配并隔绝直流，包括电容C_I、电感L_I、电阻R_I、电阻R_g和电容C_B；射频信号输入端口连接至电容C_I的第一端，电容C_I的第二端连接至电感L_I的第一端，电感L_I的第二端连接至共源放大器M_S的栅极；电阻R_I的第一端连接至共源放大器M_S的栅极，第二端连接至电阻R_g的第一端和电容C_B的第一端，电阻R_g的第二端连接至栅极电源，电容C_B的第二端接地。

3.根据权利要求2所述的一种低相移的宽带数控有源衰减器，其特征在于，所述共源放大器晶体管M_S用于实现射频信号放大，M_S的栅极连接至电感L_I的第二端，M_S的源极接地，M_S的漏极连接至增益控制单元的输入端和电感L_C的第一端。

4.根据权利要求1所述的一种低相移的宽带数控有源衰减器，其特征在于，所述共栅放大器包括晶体管M₀，M₀的栅极连接至电源，M₀的源极连接至电感L_C的第二端。

5.根据权利要求1所述的一种低相移的宽带数控有源衰减器，其特征在于，所述输出匹配网络用于输出阻抗匹配并隔绝直流，包括电容C_O和电感L_O，电感L_O的第一端连接至M₀的漏极，电感L_O的第二端连接至电容C_O的第一端，电容C_O的第二端连接至射频输出端口。

6.根据权利要求1所述的一种低相移的宽带数控有源衰减器，其特征在于，还包括低Q值负载网络，用于拓展带宽性能，降低工作带宽内的增益变化幅度，包括电感L_P和电阻R_Q，电感L_P的第一端连接至M₀的漏极，电感L_P的第二端连接至电阻R_Q的第一端，电阻R_Q的第二端连接至电源。

7.根据权利要求1所述的一种低相移的宽带数控有源衰减器，其特征在于，所述增益控制单元用于数字控制增益调节，包括N组晶体管和电阻R_QR，每一组晶体管由共栅管M_N和其复制晶体管M_NR组成；共栅管M_N和M_NR的源极连接至M_S的漏极，共栅管M_N的栅极连接至相移补偿单元2的反相器INV_N1的输出端，共栅管M_N的漏极连接至M₀的漏极，复制共栅管M_NR的栅极接反相器单元的INV_N2的输出端，复制共栅管M_NR的漏极连接至电阻R_QR的第一端；电阻R_QR的第二端连接至电源。