[发明专利]一种发光二极管及发光装置

说明书

本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种发光二极管及发光装置。发光二极管包括半导体叠层、第一电极、第二电极、第一电流阻挡层，半导体叠层包括由下表面到上表面依次层叠的第一半导体层、发光层和第二半导体层；第一电极位于第一半导体层上；第一电流阻挡层位于第一半导体层与第一电极之间；从发光二极管的上方朝半导体叠层俯视，第一电流阻挡层具有未与第一电极重叠的第二阻挡区；至少部分第二阻挡区设置于靠近第二电极一侧的第一电极局部边缘以外。本发明提供的发光二极管通过在第一电极位置对第一电流阻挡层进行设计，从而有效改善电场强度分布不均和电流聚集现象，提升发光二极管的光萃取能力和抗ESD冲击能力。

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种发光二极管及发光装置。

背景技术

发光二极管(Light Emitting Diode，LED)，通常是由如GaN、GaAs、GaP、GaAsP等半导体制成，其核心是具有发光特性的PN结，在正向电压下，电子由N区注入P区，空穴由P区注入N区，进入对方区域的少数载流子一部分与多数载流子复合而发光。LED具有发光强度大、效率高、体积小、使用寿命长等优点，被认为是当前最具有潜力的光源之一。

目前，现有的发光二极管通常在P型电极下方设电流阻挡层实现电流横向扩展，而N型电极下方不设电流阻挡层，即使设计有电流阻挡层，仍存在发光利用率低、抗ESD冲击能力差等问题。

因此，如何提高N型电极处的光提取效率和抗ESD冲击能力是亟需解决的技术难题之一。

发明内容

本发明提供一种发光二极管，解决了背景技术中至少一个技术问题，实现了有效的电流扩展。在一些实施例中，其至少包括半导体叠层、第一电极、第二电极、第一电流阻挡层。

半导体叠层，具有相对的下表面和上表面，所述半导体叠层包括由所述下表面到所述上表面依次层叠的第一半导体层、发光层和第二半导体层；

第一电极，位于所述第一半导体层上，并且与所述第一半导体层电连接；

第二电极，位于所述第二半导体层上，并且与所述第二半导体层电连接；

第一电流阻挡层，位于所述第一半导体层与所述第一电极之间；

从所述发光二极管的上方朝向所述半导体叠层俯视，所述第一电流阻挡层具有与所述第一电极相重叠的第一阻挡区和未与所述第一电极相重叠的第二阻挡区；至少部分所述第二阻挡区设置于靠近所述第二电极一侧的所述第一电极局部边缘以外。

本发明还提供一种发光装置，采用如上任一实施例所述的发光二极管。

本发明提供的发光二极管通过在第一电极下方对第一电流阻挡层的图形进行设计，从而有效改善电场强度分布不均和电流聚集现象，提升发光二极管的光萃取能力和抗ESD冲击能力。

本发明的其它特征和有益效果将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本发明而了解。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。

图1是现有技术中一种发光二极管的俯视示意图；

图2是图1现有技术中的发光二极管的发光强度分布图；

图3是现有技术中另一种发光二极管的俯视示意图；

图4是图3现有技术中另一种发光二极管的发光强度分布图；

图5是本发明一实施例提供的正装结构的发光二极管的侧视剖面示意图；