[发明专利]一种同时制备Cu3 在审
| 申请号： | 202310421938.X | 申请日： | 2023-04-19 |
| 公开（公告）号： | CN116397120A | 公开（公告）日： | 2023-07-07 |
| 发明（设计）人： | 马文会;张亚坤;雷云;任永生;吕国强 | 申请（专利权）人： | 昆明理工大学 |
| 主分类号： | C22C1/03 | 分类号： | C22C1/03;C22C1/06;B22D27/04;B22D7/00;C22C9/10 |
| 代理公司： | 天津煜博知识产权代理事务所(普通合伙) 12246 | 代理人： | 朱维 |
| 地址： | 650093 云*** | 国省代码： | 云南;53 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 同时 制备 cu base sub | ||
1.一种同时制备Cu3Si合金和共晶Si-Ti合金的方法，其特征在于，具体步骤如下：
(1)将Si物料、TiSi2物料和金属铜物料混合均匀得到混合物料，混合物料置于真空或保护气氛条件下感应加热熔融，并恒温熔炼2～3h得到均匀的Si-Ti-Cu合金熔体；
(2)真空或保护气氛条件下，Si-Ti-Cu合金熔体经电磁感应定向凝固相分离与提纯得到Si-Ti-Cu合金锭，其中Si-Ti-Cu合金锭依次包括超冶金级Si或高纯TiSi2、Si-Ti共晶合金、Cu3Si合金和杂质富集相；
(3)Si-Ti-Cu合金锭中的超冶金级Si或高纯TiSi2、Si-Ti共晶合金、Cu3Si合金和杂质富集相沿着相界面切割，得到超冶金级Si或高纯TiSi2、Si-Ti共晶合金、Cu3Si合金和杂质富集相，杂质富集相去除。
2.根据权利要求1所述同时制备Cu3Si合金和共晶Si-Ti合金的方法，其特征在于：步骤(1)TiSi2物料为废弃TiSi2合金、硅还原含钛渣制备的TiSi2合金或熔盐电解制备的TiSi2合金，硅物料为废弃太阳能电池硅片、废弃电子硅片、工业硅或硅二次资源回收料。
3.根据权利要求1或2所述同时制备Cu3Si合金和共晶Si-Ti合金的方法，其特征在于：以质量百分数计，步骤(1)混合物料中金属铜添加量为5-35％，TiSi2物料占15-75％，Si物料占10-80％。
4.根据权利要求1所述同时制备Cu3Si合金和共晶Si-Ti合金的方法，其特征在于：步骤(2)电磁感应定向凝固的温度为1150-1350℃，定向凝固的移动速度不大于1μm/s。
5.根据权利要求1所述同时制备Cu3Si合金和共晶Si-Ti合金的方法，其特征在于：步骤(2)中Si-Ti-Cu合金中的初始成分位于Si-Ti-Cu三元相图的Si液相区时，Si-Ti-Cu熔体经定向凝固后依次包括超冶金级Si、Si-Ti共晶合金、Cu3Si合金和杂质富集相；Si-Ti-Cu合金中的初始成分位于Si-Ti-Cu三元相图的TiSi2液相区时，Si-Ti-Cu熔体经定向凝固后依次包括高纯TiSi2、Si-Ti共晶合金、Cu3Si合金和杂质富集相。
6.根据权利要求1所述同时制备Cu3Si合金和共晶Si-Ti合金的方法，其特征在于：真空条件的真空度不大于10Pa。
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