[发明专利]一种用于纳米团簇束流综合沉积的取样腔在审
申请号: | 202310387999.9 | 申请日: | 2023-04-12 |
公开(公告)号: | CN116288164A | 公开(公告)日: | 2023-06-23 |
发明(设计)人: | 刘风光;张悦;王传杰;付晨;赵巍胜 | 申请(专利权)人: | 北京航空航天大学合肥创新研究院(北京航空航天大学合肥研究生院) |
主分类号: | C23C14/22 | 分类号: | C23C14/22;C23C14/56;C23C14/50;B82Y40/00 |
代理公司: | 合肥律众知识产权代理有限公司 34147 | 代理人: | 赵玉琴 |
地址: | 230000 安徽*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 用于 纳米 团簇束流 综合 沉积 取样 | ||
本发明公开了一种用于纳米团簇束流综合沉积的取样腔,包括设有取样门和连接口的取样腔本体,所述取样腔本体上设置有由取样腔本体外伸入取样腔本体内的传样机构,所述取样腔本体内设置有用于放置样品的两个载样件、用驱动载样将沿靠近或远离取样门方向运动的驱动机构,以及用于驱动两个载样件位置互换的换位机构。本申请提供的一种用于纳米团簇束流综合沉积的取样腔,取样和放样方便,可进行批量化放样和取样,无需每次覆膜完都要打开取样门取样。
技术领域
本发明涉及材料制备设备技术领域,更具体地说,涉及一种用于纳米团簇束流综合沉积的取样腔。
背景技术
团簇离子束技术(ClusterIonBeam,CIB)广泛用于工件表面的掺杂、蚀刻、清洁、平滑以及薄膜沉积。团簇离子源通过电子轰击而离子化所产生的气体团簇是包括数个到数千个或更多的分子的聚集体,这些气体团簇的尺寸较大,通常为中性或者携带少量电荷,因此仅作用于极浅的表面区域,而不会产生较深的次表面损伤。
为了进一步研究团簇离子束技术,需要不断进行试验,现有的试验设备中包括制备腔、沉积腔、检测腔和取样腔。其中取样腔的作用是将样品放入或取出沉积腔。现有的取样腔在使用时存在样品取放难度大,样品放置位点少,需要不断打开取样腔进行样品更换,大大降低试验效率。且样品放入和取出取样腔十分不便。
发明内容
本发明的目的在于提供一种用于纳米团簇束流综合沉积的取样腔,取样和放样方便,可进行批量化放样和取样,无需每次覆膜完都要打开取样门取样,用以解决上述背景技术中存在的技术问题。
本发明技术方案一种用于纳米团簇束流综合沉积的取样腔,包括设有取样门和连接口的取样腔本体,所述取样腔本体上设置有由取样腔本体外伸入取样腔本体内的传样机构,所述取样腔本体内设置有用于放置样品的两个载样件、用驱动载样将沿靠近或远离取样门方向运动的驱动机构,以及用于驱动两个载样件位置互换的换位机构;
所述传样机构包括可伸缩的传样杆和设置在传样杆端部的夹取件,所述夹取件朝向连接口;两所述传样件并排设置且通过去驱动机构同步运动,所述驱动机构固定在所述换位机构上。
在一个优选地实施例中,所述载样件包括载样槽、设置在载样槽内将载样槽隔成若干个支撑槽的隔板、活动设置在放置区域内的用于放置样品的支撑槽,以及与支撑槽底部固定的用于将支撑槽从放置区域顶出的顶升件,所述顶升件个数与支撑槽个数相同且一一对应。
在一个优选地实施例中,所述载样槽底部设置有安装腔,顶升件包括设置在安装腔内的顶升气缸,所述顶升气缸的最大顶升高度与夹取件的夹取夹取高度相适应。
在一个优选地实施例中,所述载样槽两侧相对设置有两限位槽。
在一个优选地实施例中,所述驱动机构包括一电动滑轨,所述安装腔通过滑块与电动滑轨滑动固定。
在一个优选地实施例中,所述换位机构包括与滑轨固定的从动轮、与从动轮啮合的主动轮和用于驱动主动轮转动的驱动电机。
在一个优选地实施例中,所述夹取件包括与传样杆位于取样腔本体内部一端固定且对称设置的微型气缸和固定在微型气缸的气缸推杆上的夹持板,两所述微型气缸上的夹持板相对设置。
在一个优选地实施例中,所述取样腔本体上方设置有透明观察口。
本发明技术方案的有益效果是:
通过设置两个载样件,一个用于存放待覆膜样品,一个用于存放已覆膜样品。避免每加工完成一个就需要取样一次。设置驱动机构用于两个载样件水平移动,不断进行位点互换,保证夹取工作顺利进行,同时驱动载样件沿靠近或远离取样门方向运动便于放样和取样。换位机构在样品覆膜完成后将两个载样件位置互换。使装有覆膜后样品在载样件位于靠近取样门一侧便于取样。
附图说明
图1为本发明俯视图,
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