[发明专利]一种用于同位素丰度提升的铝基催化剂及其制备方法与应用

权利要求书

1.一种用于同位素丰度提升的铝基催化剂的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

(1)将γ-氧化铝、镍前驱体和钴前驱体混合后顺次进行干燥和煅烧，得到铝基活性物质；

(2)将铝基活性物质、微孔陶瓷和表面活性剂混合，得到负载铝基活性物质的陶瓷材料；

(3)将负载铝基活性物质的陶瓷材料和聚四氟乙烯粉末混合研磨，得到铝基催化剂。

2.根据权利要求1所述用于同位素丰度提升的铝基催化剂的制备方法，其特征在于，所述γ-氧化铝为经表面处理的γ-氧化铝；表面处理的具体步骤为：将γ-氧化铝和硫酸溶液混合后顺次进行水热处理和焙烧得到经表面处理的γ-氧化铝；所述经表面处理的γ-氧化铝的粒径为1～5μm。

3.根据权利要求2所述用于同位素丰度提升的铝基催化剂的制备方法，其特征在于，所述硫酸溶液的质量分数为30～50％，γ-氧化铝和硫酸溶液的质量体积比为1～3g：20～30mL；所述水热处理的温度为100～120℃，水热处理的时间为3～5h；所述焙烧的温度为600～650℃，焙烧的时间为3～4h。

4.根据权利要求1～3任一项所述用于同位素丰度提升的铝基催化剂的制备方法，其特征在于，所述镍前驱体为硫酸镍、硝酸镍和氯化镍中的一种或多种；所述钴前驱体为硫酸钴和/或硝酸钴；所述γ-氧化铝、镍前驱体和钴前驱体的质量比为5～8：1～2：1～3。

5.根据权利要求4所述用于同位素丰度提升的铝基催化剂的制备方法，其特征在于，所述干燥的温度为70～100℃；所述煅烧的温度为200～400℃，煅烧的时间为3～4h。

6.根据权利要求1或5所述用于同位素丰度提升的铝基催化剂的制备方法，其特征在于，所述微孔陶瓷的粒径为20～50mm；所述表面活性剂为烷基酚聚氧乙烯醚、碳脂肪醇聚氧乙烯醚和脂肪酸聚氧乙烯酯中的一种或多种；所述铝基活性物质和微孔陶瓷的质量比为1：5～10；所述铝基活性物质和表面活性剂的质量体积比为1g：8～12mL。

7.根据权利要求6所述用于同位素丰度提升的铝基催化剂的制备方法，其特征在于，所述聚四氟乙烯粉末的粒径为1～3μm；所述负载铝基活性物质的陶瓷材料和聚四氟乙烯粉末的质量比为1：0.4～0.8。

8.根据权利要求6所述用于同位素丰度提升的铝基催化剂的制备方法，其特征在于，所述混合研磨的转速为100～200r/min；所述混合研磨的球料比为4～5：1；所述混合研磨的时间为1～2h。

9.权利要求1～8任一项所述用于同位素丰度提升的铝基催化剂的制备方法制备得到的铝基催化剂。

10.权利要求9所述铝基催化剂在同位素分离反应中的应用。