[发明专利]DRAM数据接口电路的布局方法、装置、电子设备和介质

说明书

提供了一种DRAM数据接口电路的布局方法和装置，涉及电路技术领域。DRAM数据接口电路包括多个数据选通单元、m个选通信号线以及用于控制第一DRAM阵列选通的多个位线，方法包括：获取DRAM数据接口电路的第一布局，在第一布局中，m个选通信号线沿预设方向依次循环排列，每一组循环对应第一布局中的一级第一子布局，在每一级第一子布局中，数据选通单元的第二数据端与多条传输信号线连接；对每一级第一子布局进行分割和重新排列，以将每一级第一子布局分割为至少两个第二子布局，并且多条传输信号线在相邻两个第二子布局之间断开，相邻两个第二子布局的位于拼接处的多个位线复用同一选通信号线，并且相邻两个第二子布局之间不具有冗余模块。

技术领域

本公开涉及电路技术领域，特别是涉及一种DRAM数据接口电路的布局方法、装置、电子设备、计算机可读存储介质和计算机程序产品。

背景技术

动态随机存取存储器(Dynamic Random Access Memory，DRAM)是一种半导体存储器。一个DRAM可以可由一个电容和一个晶体管组成，当电容中存有电荷时，DRAM中存储比特信息“1”，当电容中不存有电荷时，DRAM中存储比特信息“0”，由此，通过晶体管控制电容的充放电来实现数据的读取和写入。DRAM的读取依靠电容充放电，电容充放电导致DRAM的位线产生电压波动，通过读取位线电压波动即可获取DRAM中存储的信息。小电容充放电所产生的电压波动较为微弱的，充放电所造成的电压波动的时间也较短，因此需利用与DRAM阵列接口的DRAM数据接口电路中的放大器电路对位线上的信号进行放大来捕捉到位线微弱的电压波动，以读取DRAM阵列的充放电信息。

在相关设计中，通过构建多维度DRAM阵列来实现对大量数据的存储。具体地，在DRAM阵列中，一组DRAM的晶体管连接到同一位线，并利用与DRAM阵列接口的DRAM数据接口电路中的放大器电路对位线上的对信号进行放大来捕捉这同一位线的电压波动。此外，可以利用多个选通信号线来对DRAM数据接口电路中的多个数据选通单元的选通进行控制，每个选通信号线可以控制多个数据选通单元的选通，在同一时刻多个选通信号线中仅有一个选通信号线有效，从而使能该有效的选通信号线对应的多个数据选通单元，并输出该多个数据选通单元的输出信号。

发明内容

根据本公开的一方面，提供了一种DRAM数据接口电路的布局方法，所述DRAM数据接口电路与第一DRAM阵列相连接并且用于对所述第一DRAM阵列进行读写操作，所述DRAM数据接口电路包括多个数据选通单元、m个选通信号线以及用于控制所述第一DRAM阵列选通的多个位线，所述m个选通信号线中的每个选通信号线连接到对应的数据选通单元的使能端，所述数据选通单元的第一数据端与对应的所述位线连接，所述方法包括：获取所述DRAM数据接口电路的第一布局，其中，在所述第一布局中，所述m个选通信号线沿预设方向依次循环排列，每一组循环对应所述第一布局中的一级第一子布局，在每一级第一子布局中，每个选通信号线对应的数据选通单元的第二数据端与沿所述预设方向横贯该第一子布局的多条传输信号线连接；以及对于每一级第一子布局，对该级第一子布局进行分割和重新排列，以将每一级第一子布局分割为至少两个第二子布局，并且所述多条传输信号线在相邻两个第二子布局之间断开，相邻两个第二子布局的位于拼接处的多个位线复用同一选通信号线，并且相邻两个第二子布局之间不具有冗余模块。