[发明专利]一种用氯盐去除刚线废料中铁杂质的方法在审

专利信息
申请号: 202310360163.X 申请日: 2023-04-06
公开(公告)号: CN116477630A 公开(公告)日: 2023-07-25
发明(设计)人: 张照阳;高中明;邢鹏飞;李海煜;庄艳歆 申请(专利权)人: 东北大学;扬州盈航硅业科技有限公司
主分类号: C01B33/037 分类号: C01B33/037
代理公司: 淮安欧巴知识产权代理事务所(普通合伙) 32628 代理人: 廖宝华
地址: 110819 辽宁*** 国省代码: 辽宁;21
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摘要:
搜索关键词: 一种 用氯盐 去除 废料 杂质 方法
【说明书】:

发明公开了一种用氯盐去除刚线废料中铁杂质的方法,包括如下步骤:对刚线废料烘干;将烘干后的刚线废料与氯盐充分混合;把高纯电极棒置入熔炼炉,启动熔炼炉,通过电极棒对坩埚进行预热处理,预热完成后将混合后的物料置入炉内进行熔炼;完成精炼后,停止精炼且将硅熔体浇入到中间包中,并通过中间包快速实现渣金的分离,把硅液倒入冷却模具中进行冷却形成高纯硅,把硅渣倒入指定模具中进行冷却回收;该一种用氯盐去除刚线废料中铁杂质的方法,实现了刚线废料的高效回收利用,不仅解决了固体废弃物的堆积问题,污染环境,而且实现了变废为宝,提高了固废的附高价值;本发明实现了刚线废料的二次利用,节约了自然资源。

技术领域

本发明涉及刚线废料铁杂质去除技术领域,具体为一种用氯盐去除刚线废料中铁杂质的方法。

背景技术

随着光伏行业的发展,对晶体硅的需求量飞速增长,晶体硅行业迎来了新的浪潮,硅片的切割技术和切割硅片产生的废料也备受关注。目前晶体硅的切割技术主要是采用金刚线切割,由于切割过程中所采用的金刚线的直径与晶体硅片的厚度相差很小,所以每生产一片晶体硅片就会损失相同质量的高纯硅料。如果无法充分回收利用这种废料,不仅会造成资源的浪费,提高硅片的生产成本,而且会严重污染环境。

但是在金刚线切片过程中引入了大量的金属杂质,尤其是Fe。由于它的特殊性给后期的去除造成了巨大的困难,大大提高了硅的成本。鉴于此,本发明给出了一种在熔炼过程中去除刚线废料中Fe杂质的方法。这样不仅会解决环境污染的问题,同时也会产生极大的经济效益。

发明内容

本发明的目的在于针对现有技术的不足之处,提供一种用氯盐去除刚线废料中铁杂质的方法,以解决背景技术中所提出的问题。

为实现上述目的,本发明提供如下技术方案:一种用氯盐去除刚线废料中铁杂质的方法,包括如下步骤:

步骤一:对刚线废料烘干,依次获得烘干后刚线废料;

步骤二:将烘干后的刚线废料与氯盐充分混合;

步骤三:把高纯电极棒置入熔炼炉,启动熔炼炉,通过电极棒对坩埚进行预热处理,预热完成后将混合后的物料置入炉内进行熔炼;

步骤四:通过电极棒对坩埚进行加热,随后把高纯电极棒从熔炼炉中提拉出来;

步骤五:完成上述操作后,迅速添加高纯Si粉和氯盐的混合物;

步骤六:加大熔炼炉的输出功率,进行升温熔炼;

步骤七:完成精炼后,停止精炼且将硅熔体浇入到中间包中,并通过中间包快速实现渣金的分离,把硅液倒入冷却模具中进行冷却形成高纯硅,把硅渣倒入指定模具中进行冷却回收。

作为本发明的优选技术方案,所述烘干操作过程中,刚线废料含水率需控制在8%以下,所述烘干后的刚线废料:氯盐=100:1-50。

作为本发明的优选技术方案,所述氯盐成分主要为KC1、NaC1、MgC1、Ba12,A1C13中的一种或多种混合物,此处氯盐包含但不限于KC1、NaC1、MgC1、Ba12,A1C13。

作为本发明的优选技术方案,所述电极棒对坩埚加热,温度需控制在800-1400摄氏度,保温时间为0.3-1h。

作为本发明的优选技术方案,所述升温温度需控制在1450-1700摄氏度,精炼时间为1.0-2.5h。

作为本发明的优选技术方案,所述制得高纯硅纯度不低于99.9%,所述硅中铁的含量不高于0.05%。

与现有技术相比,本发明提供了一种用氯盐去除刚线废料中铁杂质的方法,具备以下有益效果:

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