[发明专利]基于激光诱导击穿光谱的检测方法及系统

说明书

本申请提供了基于激光诱导击穿光谱的检测方法及系统，该方法包括：以初始激光能量击打待检测样品，确定待检测样品的等离子体实际温度；根据等离子体实际温度和等离子体目标温度，将初始激光能量调整为目标激光能量；以目标激光能量多次击打待检测样品，获得待检测样品的多个光谱。该方法通过调整激光能量，使得待检测样品的等离子体温度保持一致，在无需增加设备成本、无需对样品进行复杂处理的基础上，降低基体效应的影响，提升检测结果的准确性。

技术领域

本申请涉及检测技术领域，尤其涉及基于激光诱导击穿光谱的检测方法以及系统。

背景技术

成分检测技术是指对待检测样品的各个组成成分进行定性检测和定量检测的技术。利用成分检测技术，可以了解样品的组成成分，以便对样品进行进一步分析。例如，成分检测技术可以包括激光诱导击穿光谱。

激光诱导击穿光谱利用脉冲激光聚焦于待检测样品表面形成等离子体，通过采集等离子体的光辐射，获得样品中不同元素的特征波长和强度，从而实现对样品的定性与定量检测。然而，在样品检测的过程中，样品的物理化学特性可能影响等离子体的特性，从而影响样品的检测结果，该现象也可以称为基体效应。

业界通常采用数据补偿的方式降低基体效应对检测结果的影响。例如，可以利用等离子体图像信号补偿光谱信号，或者利用光谱标准化、分子谱线补偿的方法修正、补偿基体效应的影响。然而，由于基体效应具有高复杂性和强非线性，数据补偿的方式难以获得理想的效果，无法得到准确的检测结果。

发明内容

本申请提供了基于激光诱导击穿光谱的检测方法，该方法无需增加额外的设备和运行成本，可以降低基体效应的影响，从而提升检测结果的准确性。本申请还提供了上述方法对应的系统。

第一方面，本申请提供了基于激光诱导击穿光谱的检测方法。所述方法包括：

以初始激光能量击打待检测样品，确定所述待检测样品的等离子体实际温度；

根据所述等离子体实际温度和等离子体目标温度，将所述初始激光能量调整为目标激光能量；

以所述目标激光能量多次击打所述待检测样品，获得所述待检测样品的多个光谱。

在一些可能的实现方式中，所述根据所述等离子体实际温度和等离子体目标温度，将所述初始激光能量调整为目标激光能量，包括：

根据所述等离子体实际温度和等离子体目标温度，确定所述等离子体实际温度与所述等离子体目标温度的温度差；

若所述温度差满足预设条件，所述目标激光能量为所述初始激光能量；

若所述温度差不满足所述预设条件，基于所述温度差，将所述初始激光能量调整为目标激光能量。

在一些可能的实现方式中，所述若所述温度差不满足所述预设条件，基于所述温度差，将所述初始激光能量调整为目标激光能量，包括：

基于所述温度差，将所述初始激光能量调整为第一激光能量；

以所述第一激光能量击打所述待检测样品，确定所述待检测样品的等离子体第一实际温度；

根据所述等离子第一实际温度和所述等离子体目标温度，确定所述等离子第一实际温度和所述等离子体目标温度的第一温度差；

若所述第一温度差满足所述预设条件，所述目标激光能量为所述第一激光能量；

若所述第一温度差不满足所述预设条件，基于所述第一温度差，将所述第一激光能量调整为目标激光能量。

在一些可能的实现方式中，所述预设条件包括所述温度差的绝对值小于温度允许偏差。

在一些可能的实现方式中，所述基于所述温度差，将所述初始激光能量调整为目标激光能量，包括：