[发明专利]一种连接结构的散射参数测量方法、设计方法及仿真方法

权利要求书

1.一种连接结构的散射参数测量方法，其特征在于，所述连接结构用于实现波导和芯片的连接，所述连接结构包括波导口、与所述波导口耦接的过渡结构以及第一端与所述过渡结构连接的连接线，所述连接线的第二端用于连接所述芯片以实现所述波导与芯片的连接，所述散射参数测量方法包括：

搭建完全相同的两组所述连接结构的实物；

在两组连接结构之间绘制微带线以实现所述两组连接结构的对称连接，完成连接的两组连接结构构成被测件，所述微带线的两端分别与两组连接结构中的连接线的第二端连接，所述微带线的长度大于两倍的所述波导口的长度；

以所述被测件中的两个波导口为测试端面测试出第一组散射参数；以及

以所述微带线的两端为测试端面测试出第二组散射参数。

2.如权利要求1所述的连接结构的散射参数测量方法，其特征在于，还包括：

基于所述第一组散射参数和所述第二组散射参数计算出所述连接结构的散射参数。

3.如权利要求2所述的连接结构的散射参数测量方法，其特征在于，所述第一组散射参数和所述第二组散射参数为插损参数，所述基于第一组散射参数和第二组散射参数计算出所述连接结构的散射参数包括：

计算出所述第一组散射参数和所述第二组散射参数中的差值；以及

将所述差值的1/2作为所述连接结构的插损值。

4.如权利要求1所述的连接结构的散射参数测量方法，其特征在于，所述微带线的两端设置有接地PAD，所述以微带线的两端为测试端面测试出第二组散射参数包括：

将散射参数测量装置的GSG探针分别扎在所述微带线的两端的接地PAD上；以及

运行所述散射参数测量装置，将所述散射参数测量装置的输出结果作为所述第二组散射参数。

5.一种连接结构的设计方法，其特征在于，包括：

基于连接结构的实物搭建与之匹配的第一连接结构模型；

利用如权利要求1~4中任一项所述的连接结构的散射参数测量方法测量出所述连接结构的实测散射参数；

利用所述实测散射参数对所述第一连接结构模型进行修正以获得仿真结果符合所述实测散射参数的第二连接结构模型；

在所述第二连接结构模型中增加匹配微带线以得到第三连接结构模型，所述匹配微带线用于连接过渡结构和连接线；以及

基于优化目标对所述第三连接结构模型进行优化以获得所述匹配微带线的目标尺寸，所述匹配微带线的目标尺寸为使得所述第三连接结构模型的散射参数仿真值满足所述优化目标的尺寸。

6.如权利要求5所述的连接结构的设计方法，其特征在于，所述连接结构包括波导口、与所述波导口耦接的过渡结构以及第一端与所述过渡结构连接的连接线，所述第一连接结构模型为单个连接结构的模型，所述实测散射参数为单个连接结构的实测散射参数，所述在第二连接结构模型中增加匹配微带线以得到第三连接结构模型包括：

在所述第二连接结构模型中的过渡结构与连接线之间增加匹配微带线，所述匹配微带线至少包括第一匹配段和第二匹配段，所述第一匹配段的第一端与所述过渡结构连接，所述第一匹配段的第二端与所述第二匹配段的第一端连接，所述第二匹配段的第二端与所述连接线连接，所述匹配微带线的优化参数包括所述第一匹配段的宽度和长度、第二匹配段的宽度和长度。