[发明专利]脉冲激光器在审
申请号: | 202310239664.2 | 申请日: | 2023-03-03 |
公开(公告)号: | CN116435867A | 公开(公告)日: | 2023-07-14 |
发明(设计)人: | 檀慧明;王军营 | 申请(专利权)人: | 深圳联品激光技术有限公司 |
主分类号: | H01S5/10 | 分类号: | H01S5/10;H01S5/06 |
代理公司: | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 | 代理人: | 张祺浩 |
地址: | 518000 广东省深圳市坪山区坪山街道大工业区青*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 脉冲 激光器 | ||
1.一种脉冲激光器,其特征在于,包括:泵浦源、沿着所述泵浦源的光轴依次排列设置的耦合透镜组、输入镜、增益介质、损耗控制装置、输出镜以及至少一个谐波晶体;其中,所述输出镜包括本体部以及朝向所述输入镜设置的凸起部,所述输入镜与所述凸起部构成谐振腔,所述损耗控制装置用于调整所述谐振腔的品质因数;所述谐振腔内产生的激光的至少一个束腰位置在所述输出镜作用下位于所述谐振腔外。
2.根据权利要求1所述的脉冲激光器,其特征在于:
所述输入镜朝向所述泵浦源的一面覆盖有增透膜,所述输入镜朝向所述输出镜的一面层叠覆盖有增透膜和反射膜,所述输出镜的所述凸起部朝向所述输入镜的一面覆盖有部分反射膜,所述输出镜的所述本体部朝向所述谐波晶体的一面覆盖有增透膜。
3.根据权利要求1所述的脉冲激光器,其特征在于:
所述损耗控制装置为声光主动Q开关、电光主动Q开关或者可饱和吸收体被动Q开关中的任意一种。
4.根据权利要求1所述的脉冲激光器,其特征在于:
所述增益介质为Nd:YAG晶体、Nd:YVO4晶体、Nd:GdVO4晶体、Nd:YLF晶体、Yb:YAG晶体或者陶瓷Nd:YAG中的任意一种。
5.根据权利要求1所述的脉冲激光器,其特征在于:
所述输出镜远离所述输入镜的一侧设置有第一谐波晶体和第二谐波晶体,所述第一谐波晶体是二次谐波晶体,所述第二谐波晶体是三次谐波晶体或者四次谐波晶体中的任意一种。
6.根据权利要求5所述的脉冲激光器,其特征在于:
所述二次谐波晶体为KTP晶体、LBO晶体、BiBO晶体、BBO晶体、PPLT晶体、MgO:PPLT晶体、PPKTP晶体、PPSLT晶体或者MgO:SPPLT晶体中的任意一种,所述三次谐波晶体为LBO晶体、BiBO晶体、BBO晶体或CLBO晶体中的任意一种,所述四次谐波晶体为BBO晶体或CLBO晶体中的任意一种。
7.根据权利要求5所述的脉冲激光器,其特征在于:
激光的至少一个束腰位置在所述输出镜作用下位于所述第一谐波晶体和所述第二谐波晶体之间;
所述第一谐波晶体的光学频率转换效率大于所述第二谐波晶体的光学频率转换效率,所述束腰位置靠近所述第二谐波晶体;
或者,所述第二谐波晶体的光学频率转换效率大于所述第一谐波晶体的光学频率转换效率,所述束腰位置靠近所述第一谐波晶体。
8.根据权利要求1所述的脉冲激光器,其特征在于:
所述本体部朝向所述谐波晶体一侧设有凸出部,所述凸出部朝向所述谐波晶体的一面层叠覆盖有增透膜。
9.根据权利要求1所述的脉冲激光器,其特征在于:
所述本体部朝向所述谐波晶体的一面凹陷设置并形成有凹陷表面,所述凹陷表面覆盖有增透膜。
10.根据权利要求1所述的脉冲激光器,其特征在于:
所述泵浦源的输出功率为20-40W,所述泵浦源输出的光线的波长为700-900nm,所述增益介质的长度为10-15mm,掺杂浓度为0.1%-2%;所述谐振腔的长度为50-100mm。
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