[发明专利]一种亚纳米材料及其制备方法

权利要求书

1.一种亚纳米材料的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤：

(1)将本体材料、球磨球和助磨材料A进行一次球磨后，向球磨体系中加入助磨材料B进行二次球磨，得到球磨产物；

(2)将所述球磨产物与溶剂混合，超声得到所述亚纳米材料；

其中，所述助磨材料A的平均粒径大于所述助磨材料B的平均粒径。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述本体材料包括层状材料和/或非层状材料；

优选地，所述层状材料包括石墨、氮化硼、黑鳞、g-C₃N₄、MoS₂、MoSe₂、MoTe₂、WS₂、WSe₂、WTe₂、TiS₂、MnS₂、FeS₂、CoS₂、NiS₂、In₂S₃、In₂Se₃、In₂Te₃、Bi₂Se₃、Bi₂Te₃、Sb₂Te₃、Ti₂C、Ti₃C₂、Ti₄N₃、V₂C、Nb₂C、Mo₂C或Mo₂TiC₂中的任意一种或至少两种的组合；

优选地，所述非层状材料包括金属材料、无机半导体材料或有机半导体材料中的任意一种或至少两种的组合；

优选地，所述金属材料中的金属元素包括Al、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Nb、Mo、Ag、Cd、W、Pb、Pt、Au、Ge、Sn、Sb或Bi元素中的任意一种或至少两种的组合；

优选地，所述无机半导体材料包括IIIA-VA族化合物、IIIA-VIA族化合物、IVA-IVA族化合物、IVA-VA族化合物、IVA-VIA族化合物、VA-VIA族化合物、过渡元素的氧化物、Si-AlP、Ge-GaAs、InAs-InSb、AlSb-GaSb、InAs-InP、GaAs-GaP、ZnSiP₂、ZnGeP₂、ZnGeAs₂、CdGeAs₂、CdSnSe₂、CuGaSe₂、AgInTe₂、AgTlTe₂、CuInSe₂、CuAlS₂、Cu₃AsSe₄、Ag₃AsTe₄、Cu₃SbS₄、Ag₃SbSe₄或Cu₂FeSnS₄中的任意一种或至少两种的组合，优选为PbS、CdS、CuS、FeS、ZnS、PbSe、CdSe、CuSe、FeSe、ZnSe、PbTe、CdTe、CuTe、FeTe、ZnTe、GaN、InP、ZnO、TiO₂、CdO、SiO₂、Si₃N₄、SiC、GaAs、Cu₃SbS₄或Ag₃SbSe₄中的任意一种或至少两种的组合；

优选地，所述有机半导体材料包括萘、蒽、聚丙烯腈或酞菁中的任意一种或至少两种的组合；

优选地，所述本体材料的平均粒径为0.1～10000μm，进一步优选为0.5～1000μm。