[发明专利]一种2.5D集成电路电源分配网络节点电压降计算方法

权利要求书

1.一种2.5D集成电路电源分配网络节点电压降计算方法，其特征在于，包括步骤：

S1、构建2.5D集成电路的等效电路模型，所述等效电路模型的电源分配网络包括硅插入层中电源分配网络、芯粒中电源分配网络、硅插入层中硅通孔阵列和微焊球阵列；

S2、计算所述等效电路模型的电源分配网络中任意两点之间的电阻；

S3、根据所述等效电路模型，利用所述任意两点之间的电阻、所述硅插入层中硅通孔的电阻计算所述硅插入层中电源分配网络的电压降；

S4、根据所述等效电路模型，结合所述硅插入层中电源分配网络的电压降、所述任意两点之间的电阻、所述硅插入层中电源分配网络上的再分布层的电阻、所述芯粒中硅通孔的电阻、所述微焊球的电阻计算所述芯粒中电源分配网络的电压降；

S5、判断所述芯粒中电源分配网络节点的电压降是否满足芯粒噪声容限，若否，则修改硅插入层中硅通孔的分布情况和芯粒在硅插入层上的位置，并重复步骤S2-S4对所述芯粒中电源分配网络的电压降进行优化，若是，则根据所述芯粒中电源分配网络的电压降选取所述硅插入层中硅通孔的分布情况和所述芯粒在硅插入层上的最优位置。

2.根据权利要求1所述的2.5D集成电路电源分配网络节点电压降计算方法，其特征在于，所述等效电路模型包括硅插入层和若干芯粒，其中，

所述若干芯粒分布在所述硅插入层上，且每个所述芯粒通过微焊球阵列与所述硅插入层连接；

所述硅插入层包括硅基底、硅插入层中硅通孔阵列、硅插入层中电源分配网络和再分布层，所述硅基底为所述硅插入层的一部分且位于硅插入层的底层，所述硅插入层中硅通孔阵列分布在所述硅基底中，所述硅插入层中电源分配网络设置在所述硅基底的上侧，所述再分布层设置在所述硅基底的上侧；

所述芯粒包括芯粒中电源分配网络和芯粒中硅通孔阵列，所述芯粒中电源分配网络通过微焊球阵列连接所述芯粒中硅通孔阵列，且所述硅插入层中电源分配网络通过所述再分布层、微焊球阵列连接所述芯粒中硅通孔阵列。

3.根据权利要求1所述的2.5D集成电路电源分配网络节点电压降计算方法，其特征在于，步骤S2包括：

在电路直流情况下，所述电源分配网络为纯电阻网络，则所述电源分配网络中任意两点u₁(x₁,y₁)和u₂(x₂,y₂)之间的电阻公式为：

其中，m源分配网络的参考规模，r为单元PDN网络的电阻。

4.根据权利要求1所述的2.5D集成电路电源分配网络节点电压降计算方法，其特征在于，步骤S3包括：

由于所述等效电路模型中再分布层的电压降与所述芯粒的位置相关，因此不考虑再分布层的电压降，利用所述任意两点之间的电阻、所述硅插入层中硅通孔的电阻计算所述硅插入层中电源分配网络的电压降。