[发明专利]显示装置在审
申请号: | 202310197606.8 | 申请日: | 2023-03-03 |
公开(公告)号: | CN115966588A | 公开(公告)日: | 2023-04-14 |
发明(设计)人: | 宋文清;黄国有;林容甫 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H10K59/126;H10K59/12 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 王锐 |
地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示装置 | ||
1.一种显示装置,包括:
像素电路基板,包括:
基板;
金属层;以及
遮光结构,形成于该金属层上,其中该遮光结构与该金属层的堆叠对于可见光的反射率为3%~30%;以及
发光元件,电连接至该像素电路基板,且其中该遮光结构在该基板的顶面的法线方向上部分重叠于该发光元件。
2.如权利要求1所述的显示装置,其中该像素电路基板还包括:
挡墙层,位于该基板之上,且具有开口,其中该遮光结构位于该开口的侧壁与该发光元件之间。
3.如权利要求2所述的显示装置,其中该遮光结构自该挡墙层的顶面的上方延伸至该发光元件的下方。
4.如权利要求1所述的显示装置,其中该发光元件的第一电极与第二电极分别电连接至该像素电路基板,且该第一电极对应于该遮光结构的第一开孔而设置。
5.如权利要求1所述的显示装置,其中该像素电路基板还包括:
第一导电层,包括栅极;
半导体图案,重叠于该栅极;
第二导电层,包括电连接至该半导体图案的第一源极/漏极与第二源极/漏极;
第一绝缘层,位于该第二导电层之上;
第三导电层,位于该第一绝缘层之上,且至少部分该第三导电层电连接至该第二导电层;
第二绝缘层,位于该第三导电层之上,其中该金属层位于该第二绝缘层之上,且至少部分该金属层电连接至该第三导电层,其中该金属层包括第一接垫与第二接垫,且该发光元件电连接至该第一接垫与该第二接垫。
6.如权利要求5所述的显示装置,其中该发光元件的第一电极与第二电极分别电连接至该第一接垫与该第二接垫,且该遮光结构具有重叠于该第一电极的第一开孔。
7.如权利要求6所述的显示装置,还包括:
第一连接材,连接该第一电极与该第一接垫,且该第一连接材重叠于该第一开孔。
8.如权利要求1所述的显示装置,其中该像素电路包括:
第一导电层,包括栅极;
半导体图案,重叠于该栅极;
第二导电层,包括电连接至该半导体图案的第一源极/漏极与第二源极/漏极;
第一绝缘层,位于该第二导电层之上,其中该金属层位于该第一绝缘层之上,且至少部分该金属层电连接至该第二导电层;
第二绝缘层,位于该金属层以及该遮光结构之上;以及
第三导电层,位于该第二绝缘层之上,且至少部分该第三导电层电连接至该金属层,其中该第三导电层包括第一接垫与第二接垫,且该发光元件电连接至该第一接垫与该第二接垫。
9.如权利要求1所述的显示装置,其中该显示装置包括穿透区与位于该穿透区周围的非穿透区,其中该金属层、该发光元件以及该遮光结构设置于该非穿透区中。
10.如权利要求1所述的显示装置,其中该遮光结构的材料包括金属氧化物。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的