[发明专利]掩模坯料、转印用掩模、转印用掩模的制造方法、及显示装置的制造方法

说明书

本发明提供对包含紫外线区域的波长的曝光光具有高耐光性、并且具有高耐化学药品性、能够形成良好的转印图案的掩模坯料。所述掩模坯料具备：透光性基板、和设置于透光性基板的主表面上的图案形成用的薄膜，薄膜含有钛、硅及氮，通过X射线光电子能谱法对薄膜的内部区域进行分析而获得的Ti2p窄谱在将键能为455eV的光电子强度设为Psubgt;N/subgt;、将键能为454eV的光电子强度设为Psubgt;T/subgt;时，满足Psubgt;N/subgt;/Psubgt;T/subgt;大于1.52的关系，内部区域是薄膜的除上述透光性基板侧的附近区域和与透光性基板相反侧的表层区域以外的区域。

技术领域

本发明涉及掩模坯料、转印用掩模、转印用掩模的制造方法、及显示装置的制造方法。

背景技术

近年来，对于以OLED(有机发光二极管，Organic Light Emitting Diode)为代表的FPD(平板显示器，Flat Panel Display)等显示装置而言，在大画面化、宽视角化的同时，高精细化、高速显示化也得到了迅速的发展。为了实现该高精细化、高速显示化，必要的要素之一是制作微细且尺寸精度高的元件及布线等电子电路图案。该显示装置用电子电路的图案化大多采用光刻法。因此，需要形成有微细且高精度图案的显示装置制造用的相移掩模及二元掩模这样的转印用掩模(光掩模)。

例如，专利文献1中记载了一种用于曝光微细图案的光掩模。专利文献1中记载了使在光掩模的透明基板上形成的掩模图案由透光部和半透光部来构成，所述透光部使实质上有助于曝光的强度的光透过，所述半透光部使实质上对曝光没有贡献的强度的光透过。另外，在专利文献1中记载了利用相移效果使从上述半透光部与透光部的边界部附近通过后的光相互抵消而提高边界部的对比度。另外，在专利文献1中记载了下述内容：在光掩模中，由薄膜构成上述半透光部，该薄膜由以氮、金属及硅作为主要构成要素的物质形成，并且，作为构成该薄膜的物质的构成要素的硅的含量为34～60原子％。

在专利文献2中记载了一种用于光刻法的半色调型相移掩模/坯料。在专利文献2中记载了掩模/坯料具备基板、沉积于上述基板的蚀刻停止层、以及沉积于上述蚀刻停止层的相移层。进一步，在专利文献2中记载了下述内容：使用该掩模坯料，能够制造在小于500nm的所选择的波长下具有大致180度的相移、以及至少0.001％的透光率的光掩模。

在专利文献3中记载了一种在透明基板上具有图案形成用薄膜的光掩模坯料。在专利文献3中记载了光掩模坯料是用于通过对图案形成用薄膜进行湿法蚀刻而形成在透明基板上具有转印图案的光掩模的原版。另外，在专利文献3中记载了光掩模坯料的图案形成用薄膜含有过渡金属和硅，并且具有柱状结构。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本专利第2966369号公报

专利文献2：日本特表2005-522740号公报

专利文献3：日本特开2020-95248号公报

发明内容

发明所要解决的问题

作为近年来被用于高精细(1000ppi以上)的面板制作的转印用掩模，为了实现高分辨率的图案转印，要求形成有包含孔径为6μm以下、线宽为4μm以下的微细图案形成用的薄膜图案的转印用图案的转印用掩模。具体而言，要求形成有包含直径或宽度尺寸为1.5μm的微细图案的转印用图案的转印用掩模。

另一方面，通过对掩模坯料的图案形成用的薄膜进行图案化而得到的转印用掩模由于要被重复用于对被转印体的图案转印，因此，期望对于设想了实际的图案转印时的紫外线的耐光性(紫外耐光性)也高。另外，转印用掩模在其制造时及使用时要被反复清洗，因此，也期望掩模清洗耐性(耐化学药品性)高。