[发明专利]掩模坯料、转印用掩模、转印用掩模的制造方法、及显示装置的制造方法

权利要求书

1.一种掩模坯料，其具备：透光性基板、和设置于所述透光性基板的主表面上的图案形成用的薄膜，

所述薄膜含有钛、硅及氮，

通过X射线光电子能谱法对所述薄膜的内部区域进行分析而获得的Ti2p窄谱中，将键能为455eV的光电子强度设为P_N、将键能为454eV的光电子强度设为P_T时，满足P_N/P_T大于1.52的关系，

所述内部区域是所述薄膜的除所述透光性基板侧的附近区域和与所述透光性基板相反侧的表层区域以外的区域。

2.根据权利要求1所述的掩模坯料，其中，

所述Ti2p窄谱中，在将键能为461eV的光电子强度设为P_NU、将键能为460eV的光电子强度设为P_TU时，满足P_NU/P_TU大于1.10的关系。

3.根据权利要求1或2所述的掩模坯料，其中，

所述内部区域中的钛的含量相对于钛及硅的合计含量的比率为0.05以上。

4.根据权利要求1或2所述的掩模坯料，其中，

所述内部区域中的氮的含量为30原子％以上。

5.根据权利要求1或2所述的掩模坯料，其中，

所述内部区域中的钛、硅及氮的合计含量为90原子％以上。

6.根据权利要求1或2所述的掩模坯料，其中，

所述内部区域的氧含量为7原子％以下。

7.根据权利要求1或2所述的掩模坯料，其中，

与所述透光性基板侧相反侧的表层区域是从与所述透光性基板相反侧的表面朝向所述透光性基板侧深度10nm的范围内的区域。

8.根据权利要求1或2所述的掩模坯料，其中，

所述透光性基板侧的附近区域是从所述透光性基板侧的表面朝向与所述透光性基板相反的一侧深度10nm的范围内的区域。

9.根据权利要求1或2所述的掩模坯料，其中，

所述薄膜为相移膜，

所述相移膜对波长365nm的光的透射率为1％以上，并且对波长365nm的光的相位差为150度以上且210度以下。

10.根据权利要求1或2所述的掩模坯料，其中，

在所述薄膜上具备蚀刻掩模膜，所述蚀刻掩模膜与所述薄膜蚀刻选择性不同。

11.根据权利要求10所述的掩模坯料，其中，

所述蚀刻掩模膜含有铬。

12.一种转印用掩模，其具备：透光性基板、和设置于所述透光性基板的主表面上且具有转印图案的薄膜，

所述薄膜含有钛、硅及氮，

通过X射线光电子能谱法对所述薄膜的内部区域进行分析而获得的Ti2p窄谱中，在将键能为455eV的光电子强度设为P_N、将键能为454eV的光电子强度设为P_T时，满足P_N/P_T大于1.52的关系，

所述内部区域是所述薄膜的除所述透光性基板侧的附近区域和与所述透光性基板相反侧的表层区域以外的区域。

13.根据权利要求12所述的转印用掩模，其中，

所述Ti2p窄谱中，在将键能为461eV的光电子强度设为P_NU、将键能为460eV的光电子强度设为P_TU时，满足P_NU/P_TU大于1.10的关系。