[发明专利]数据输出电路在审
申请号: | 202310085879.3 | 申请日: | 2023-01-17 |
公开(公告)号: | CN116052735A | 公开(公告)日: | 2023-05-02 |
发明(设计)人: | 李思曼;严允柱 | 申请(专利权)人: | 长鑫存储技术有限公司 |
主分类号: | G11C7/10 | 分类号: | G11C7/10;G11C11/4096 |
代理公司: | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人: | 王花丽;王黎延 |
地址: | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 数据 输出 电路 | ||
本公开实施例公开了一种数据输出电路,所述数据输出电路包括:选择电路,用于根据接收到的第一代码选择输出第一控制信号,或选择输出第二控制信号;驱动电路,连接所述选择电路,所述驱动电路用于接收第一数据信号并根据所述第一控制信号输出第一电平,或根据第二控制信号输出第二电平;所述第一电平包括电源电压;所述第二电平大于所述第一电平。本公开实施例利用第一代码来选择输出合适的控制信号,驱动电路根据该控制信号以产生合适的输出电压。
技术领域
本公开实施例涉及半导体技术领域,涉及但不限于一种数据输出电路。
背景技术
存储单元中的数据(DATA)可以通过数据输出电路传输至数据输出端(OUTPUT)处,然后再通过数据输出端将输出电压传输至外部数据端口(DQ pad)上,一方面,数据输出端与外部数据端口之间的传输路径过于漫长,另一方面,数据输出端与外部数据端口之间的传输介质会吸收信号。这都会导致传输的输出电压即输出数据发生衰减,此时传输到外部数据端口上的数据可能就不是满幅数据。当这样的数据被外部数据端口采集时,存储单元中的数据可能会被误判,这将严重影响存储器的性能。如何使得外部数据端口可以采集到正确的存储数据,成为了亟需解决的问题。
发明内容
有鉴于此,本公开实施例提供一种数据输出电路。所述数据输出电路包括:
选择电路,用于根据接收到的第一代码选择输出第一控制信号,或选择输出第二控制信号;
驱动电路,连接所述选择电路,所述驱动电路用于接收第一数据信号并根据所述第一控制信号输出第一电平,或根据所述第二控制信号输出第二电平;所述第一电平包括电源电压;所述第二电平大于所述第一电平。
在一些实施例中,所述选择电路包括第一选择器;
所述第一选择器的控制端用于接收所述第一代码;所述第一选择器的第一输入端用于接收所述第一控制信号,所述第一选择器的第二输入端用于接收所述第二控制信号;
所述第一代码为第一值时,所述第一选择器对应输出所述第一控制信号,所述第一代码为第二值时,所述第一选择器对应输出所述第二控制信号。
在一些实施例中,所述驱动电路包括第一上拉驱动单元和第二上拉驱动单元;
所述第一上拉驱动单元的第一端连接电源电压,所述第一上拉驱动单元的控制端连接所述选择电路的输出端,用于接收所述第一控制信号或所述第二控制信号;
所述第二上拉驱动单元的第一端连接所述第一上拉驱动单元的第二端,所述第二上拉驱动单元的第二端为数据输出端,所述第二上拉驱动单元的控制端用于接收第三控制信号;
在所述第二上拉驱动单元导通的条件下,所述驱动电路用于根据所述第一控制信号并通过所述数据输出端输出所述第一电平,或用于根据所述第二控制信号并通过所述数据输出端输出所述第二电平。
在一些实施例中,所述第一上拉驱动单元包括:第一P型晶体管和电容;所述第二上拉驱动单元包括:串联的第二P型晶体管和第一电阻;
所述电容连接在所述第一P型晶体管的栅极与所述第一P型晶体管的第二极之间;所述第一P型晶体管的第一极连接所述电源电压,所述第一P型晶体管的栅极用于接收所述第一控制信号或所述第二控制信号;
所述第二P型晶体管的第一极连接所述第一P型晶体管的第二极;所述第二P型晶体管的第二极连接所述第一电阻的第一端;所述第二P型晶体管的栅极用于接收第三控制信号;所述第一电阻的第二端为所述数据输出端。
在一些实施例中,所述数据输出电路还包括:连接所述选择电路和所述驱动电路的控制信号生成电路;
所述控制信号生成电路包括:
用于生成所述第一控制信号的第一生成电路;
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