[发明专利]驱动电路及电源芯片在审
| 申请号: | 202310079835.X | 申请日: | 2023-01-31 |
| 公开(公告)号: | CN115940597A | 公开(公告)日: | 2023-04-07 |
| 发明(设计)人: | 陈春妃;杨兴洲 | 申请(专利权)人: | 思瑞浦微电子科技(苏州)股份有限公司 |
| 主分类号: | H02M1/088 | 分类号: | H02M1/088;H02M1/38;H02M1/32;H02M3/158 |
| 代理公司: | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人: | 张文娥 |
| 地址: | 215000 江苏省苏州市工业*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 驱动 电路 电源 芯片 | ||
本发明提供了一种驱动电路及电源芯片,涉及电子电路的技术领域,驱动电路包括:控制电路,以及与控制电路连接的驱动模块,驱动模块包括并联设置的多级驱动单元;每级驱动单元的输出端均与第一开关管的栅极连接;控制电路用于获取电源芯片的监测信号,基于监测信号进行逻辑处理,以对多级所述驱动单元进行驱动,进而控制第一开关管的导通状态;本发明提供的驱动电路及电源芯片,在对第一开关管的导通状态进行控制过程中,能够结合负载等情况对第一开关管实现精细控制,并自适应负载情况,避免第一开关管与第二开关管同时导通而出现的烧毁芯片,使芯片损坏的现象,进而提高电路的安全性。
技术领域
本发明涉及电子电路的技术领域,尤其是涉及一种驱动电路及电源芯片。
背景技术
在高压DC-DC电源转换芯片中,为了降低面积成本,上管通常用N型MOS管,并且,为了驱动上管,上管的驱动电源多采用外置的电荷泵,而下管的驱动单元与上管是分开的,因此,在某些情况下,会出现上管和下管被同时导通的现象,严重时会烧毁芯片,使芯片损坏,而出现不可逆转的损失。
针对上述出现烧毁芯片,使芯片损坏的现象,目前尚未提出有效的解决方式。
发明内容
有鉴于此,本发明的目的在于提供一种驱动电路及电源芯片,以缓解上述技术问题。
第一方面,本发明实施例提供了一种驱动电路,应用于电源芯片,所述电源芯片包括第一开关管和第二开关管,所述第一开关管和所述第二开关管串联,且,所述第一开关管和所述第二开关管的串联通路上形成第一连接节点;所述驱动电路与所述第一开关管的栅极连接,用于对所述第一开关管进行驱动;所述驱动电路包括:控制电路,以及与所述控制电路连接的驱动模块,所述驱动模块包括并联设置的多级驱动单元;每级所述驱动单元的输出端均与所述第一开关管的栅极连接;所述控制电路,用于获取所述电源芯片的监测信号,基于所述监测信号进行逻辑处理,以对驱动模块进行驱动,进而控制所述第一开关管的导通状态;其中,所述监测信号包括:负载监测信号、密勒平台监测信号以及SW电位监测信号。
结合第一方面,本发明实施例提供了第一方面的第一种可能的实施方式,其中,上述驱动单元包括并联设置的第一驱动单元、第二驱动单元和第三驱动单元;其中,所述第一驱动单元和所述第三驱动单元的驱动端连接至所述控制电路;所述第二驱动单元配置有驱动管组,所述驱动管组用于维持所述第二驱动单元的全部驱动过程。
结合第一方面的第一种可能的实施方式,本发明实施例提供了第一方面的第二种可能的实施方式,其中,上述第一驱动单元包括第一驱动MOS管;所述第一驱动MOS管的栅极连接至所述控制电路;所述第一驱动MOS管的源极连接至所述第一连接节点;所述第一驱动MOS管的漏极连接至所述第一开关管的栅极。
结合第一方面的第二种可能的实施方式,本发明实施例提供了第一方面的第三种可能的实施方式,其中,上述控制电路包括密勒平台监测电路;所述密勒平台监测电路的输入端用于获取启动信号,基于所述启动信号,以及监测到的所述密勒平台监测信号驱动所述第一驱动MOS管。
结合第一方面的第一种可能的实施方式,本发明实施例提供了第一方面的第四种可能的实施方式,其中,上述第三驱动单元包括第二驱动MOS管;所述第二驱动MOS管的栅极连接至所述控制电路;所述第二驱动MOS管的源极连接至所述第一连接节点;所述第二驱动MOS管的漏极连接至所述第一开关管的栅极。
结合第一方面的第四种可能的实施方式,本发明实施例提供了第一方面的第五种可能的实施方式,其中,上述控制电路包括第一阈值监测电路和第二阈值监测电路;其中,所述第一阈值监测电路和第二阈值监测电路的输出端通过或门连接至所述第二驱动MOS管的栅极;所述第一阈值监测电路用于监测所述第一连接节点的SW电位,当所述SW电位低于预设的阈值电压时,向所述第二驱动MOS管的栅极发送驱动信号;所述第二阈值监测电路用于监测负载监测信号,基于所述负载监测信号向所述第二驱动MOS管的栅极发送驱动信号。
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