[发明专利]参数优化方法、记录介质和基板处理装置在审
申请号: | 202310075763.1 | 申请日: | 2023-01-16 |
公开(公告)号: | CN116504670A | 公开(公告)日: | 2023-07-28 |
发明(设计)人: | 仲村武瑠;安陪裕滋 | 申请(专利权)人: | 株式会社斯库林集团 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 宋晓宝 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 参数 优化 方法 记录 介质 处理 装置 | ||
1.一种参数优化方法,其是在向基板供给从喷嘴喷出的处理液的基板处理装置中,优化用于控制所述处理液的喷出的参数的参数优化方法,其中,
包含:
工序a),通过全局搜索优化第一参数的第一优化工序;以及
工序b),通过局部搜索优化第二参数的第二优化工序,
所述第一参数包含将来自所述喷嘴的所述处理液的喷出速度提高到稳定喷出速度的上升期间所对应的参数,
所述第二参数包含所述喷出速度保持在所述稳定喷出速度的稳定喷出期间所对应的参数。
2.如权利要求1所述的参数优化方法,其中,
所述工序b)在所述工序a)后执行。
3.如权利要求1所述的参数优化方法,其中,
所述第一优化工序包含通过贝叶斯优化来优化所述第一参数的工序。
4.如权利要求1~3中任一项所述的参数优化方法,其中,
所述参数是控制向所述喷嘴给送所述处理液的泵的工作的控制量。
5.如权利要求1~4中任一项所述的参数优化方法,其中,
所述工序a)中,包含基于从所述处理液自所述喷嘴喷出时的喷出特性的特征量导出的成本值,来优化所述第一参数的工序。
6.如权利要求1~5中任一项所述的参数优化方法,其中,
所述工序b)中,包含基于所述稳定喷出期间开始时的喷出速度与所述稳定喷出期间结束时的喷出速度的比,来优化所述第二参数的工序。
7.一种记录介质,其是记录有程序的计算机能读取的记录介质,所述程序用于使计算机执行用于控制处理液从喷嘴的喷出的参数的优化,其中,
所述程序使所述计算机执行:
工序a),通过全局搜索优化第一参数的第一优化工序;以及
工序b),通过局部搜索优化第二参数的第二优化工序,
所述第一参数包含将来自所述喷嘴的所述处理液的喷出速度提高到稳定喷出速度的上升期间所对应的参数,
所述第二参数包含所述喷出速度保持在所述稳定喷出速度的稳定喷出期间所对应的参数。
8.一种基板处理装置,向基板供给从喷嘴喷出的处理液,其中,
具备:
喷出控制部,基于包括第一参数和第二参数的多个参数,控制所述处理液从所述喷嘴的喷出;
喷出特性测量部,测量所述喷嘴喷出所述处理液时的喷出特性;
第一优化部,基于所述喷出特性,通过全局搜索优化所述第一参数;以及
第二优化部,基于所述喷出特性,通过局部搜索优化所述第二参数,
所述第一参数包含将来自所述喷嘴的所述处理液的喷出速度提高到稳定喷出速度的上升期间所对应的参数,
所述第二参数包含所述喷出速度保持在所述稳定喷出速度的稳定喷出期间所对应的参数。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造