[发明专利]图像传感器在审
申请号: | 202310067368.9 | 申请日: | 2023-02-06 |
公开(公告)号: | CN116564981A | 公开(公告)日: | 2023-08-08 |
发明(设计)人: | 金智勋;尹浈斌;李承俊 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 赵南;李竞飞 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 图像传感器 | ||
1.一种图像传感器,包括:
衬底,在所述衬底中设置有第一光电转换元件,所述衬底具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面;
像素分离图案,其从所述衬底的所述第一表面延伸至所述衬底中,围绕所述第一光电转换元件,并且限定所述衬底中的第一像素区;
第一竖直栅结构,其在所述第一像素区中从所述衬底的所述第一表面延伸至所述衬底中,并且包括设置在所述衬底中的第一部分和设置在所述衬底的所述第一表面上的第二部分;
第二竖直栅结构,其在所述第一像素区中从所述衬底的所述第一表面延伸至所述衬底中,所述第二竖直栅结构包括设置在所述衬底中的第一部分和设置在所述衬底的所述第一表面上的第二部分;以及
浮置扩散区,其设置在所述衬底中的所述第一像素区的边缘,设置在所述第一竖直栅结构的第一部分与所述第二竖直栅结构的第一部分之间,并且具有与所述衬底的所述第一表面形成在同一平面上的上表面,
其中,所述第一竖直栅结构的第一部分在水平方向上的宽度在靠近所述浮置扩散区的水平方向上逐渐减小,
所述第一竖直栅结构的第一部分包括面对所述第二竖直栅结构的第一部分的第一侧壁,
所述第二竖直栅结构的第一部分包括面对所述第一竖直栅结构的第一部分的第二侧壁,并且
所述第一侧壁和所述第二侧壁之间的间距在靠近所述浮置扩散区的水平方向上减小。
2.根据权利要求1所述的图像传感器,其中,所述第一竖直栅结构的第一部分和所述第二竖直栅结构的第一部分中的每一个在平面图中具有三角形。
3.根据权利要求2所述的图像传感器,其中,在水平面上位于距离所述浮置扩散区最近的顶点处的所述第一竖直栅结构的第一部分的两个侧壁之间的角度大于或等于30度并且小于45度。
4.根据权利要求1所述的图像传感器,其中,所述第一竖直栅结构的第一部分和所述第二竖直栅结构的第一部分中的每一个在平面图中具有梯形。
5.根据权利要求1所述的图像传感器,还包括:
第二像素区,其具有通过所述第二像素区和所述第一像素区之间的像素分离图案与所述第一像素区分离的至少一部分,并且被所述像素分离图案限定;
第三竖直栅结构,其在所述第二像素区中从所述衬底的所述第一表面延伸至所述衬底中,并且包括设置在所述衬底中的第一部分和设置在所述衬底的所述第一表面上的第二部分;以及
第四竖直栅结构,其在所述第二像素区中从所述衬底的所述第一表面延伸至所述衬底中,所述第四竖直栅结构包括设置在所述衬底中的第一部分和设置在所述衬底的所述第一表面上的第二部分,
其中,所述第三竖直栅结构的第一部分包括面对所述第四竖直栅结构的第一部分的第三侧壁,
所述第四竖直栅结构的第一部分包括面对所述第三竖直栅结构的第一部分的第四侧壁,并且
所述第三侧壁和所述第四侧壁之间的间距在靠近所述浮置扩散区的水平方向上减小。
6.根据权利要求5所述的图像传感器,其中,所述第一竖直栅结构和所述第三竖直栅结构相对于所述第二像素区和所述第一像素区之间的像素分离图案对称地设置,并且
所述第二竖直栅结构和所述第四竖直栅结构相对于所述第二像素区和所述第一像素区之间的像素分离图案对称地设置。
7.根据权利要求5所述的图像传感器,其中,所述浮置扩散区设置在所述第一像素区和所述第二像素区上方。
8.根据权利要求5所述的图像传感器,其中,所述浮置扩散区包括设置在所述第一像素区的边缘的第一浮置扩散区和设置在所述第二像素区的边缘并且与所述第一浮置扩散区间隔开的第二浮置扩散区。
9.根据权利要求8所述的图像传感器,其中,所述第一浮置扩散区和所述第二浮置扩散区相对于所述第二像素区和所述第一像素区之间的像素分离图案对称地设置。
10.根据权利要求1所述的图像传感器,其中,所述第一竖直栅结构的第二部分和所述第二竖直栅结构的第二部分一体地形成。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的