[发明专利]耐高压的电流舵数模转换器及芯片在审

专利信息
申请号: 202310056578.8 申请日: 2023-01-19
公开(公告)号: CN116192149A 公开(公告)日: 2023-05-30
发明(设计)人: 黄泽祥;张开伟 申请(专利权)人: 眸芯科技(上海)有限公司
主分类号: H03M1/66 分类号: H03M1/66;H03M1/08;H02H3/20;H02H7/20
代理公司: 上海图灵知识产权代理事务所(普通合伙) 31393 代理人: 谢微
地址: 201210 上海*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 高压 电流 数模转换器 芯片
【权利要求书】:

1.一种耐高压的电流舵数模转换器,包括电流源矩阵模块,所述电流源矩阵模块用于将输入的差分控制信号转换成相应的模拟输出信号,其特征在于:所述电流源矩阵模块包括第一输入端和第二输入端、差分开关单元、第一输出端和第二输出端、尾电流管单元、偏置电压输入端以及偏置电流输入端;

所述第一输入端和第二输入端用于输入差分控制信号DP_BUF和DN_BUF;所述差分开关单元连接所述第一输入端和第二输入端,同时差分开关单元连接第一输出端和第二输出端,同时差分开关单元连接所述尾电流管单元,所述第一输出端和第二输出端用于输出模拟输出信号DAC_OUTP和DAC_OUTN;所述尾电流管单元连接差分开关单元,同时尾电流管单元连接偏置电压输入端和偏置电流输入端;所述偏置电压输入端连接偏置电压产生电路,用于提供偏置电压;所述偏置电流输入端连接偏置电流电路,用于提供偏置电流;

其中,所述差分开关单元包括第一差分开关,以及与所述第一差分开关串联连接的至少一个第二差分开关,所述第二差分开关作为第一差分开关的保护器件以进行分压;和/或,对提供偏置电流的开关晶体管设置至少一个串联连接的开关晶体管作为保护器件以进行分压;

以及,对应每个前述保护器件,通过所述偏置电压产生电路的支路为保护器件提供所需的偏置电压。

2.根据权利要求1所述的电流舵数模转换器,其特征在于:所述尾电流管单元包括串联连接的第一尾电流管PMOS晶体管和第二尾电流管PMOS晶体管;所述差分开关单元包括第一差分开关和一个第二差分开关,第一差分开关和第二差分开关均由两个PMOS晶体管组成;

差分控制信号DP_BUF和DN_BUF分别与第一差分开关的两个PMOS晶体管的栅极连接,所述第一差分开关的两个PMOS晶体管的源极相连至一节点后,通过该节点与第二尾电流管PMOS晶体管连接;所述第二差分开关的两个PMOS晶体管与第一差分开关的两个PMOS晶体管分别串联连接,同时所述第二差分开关的两个PMOS晶体管分别连接第一输出端和第二输出端;

所述偏置电流通过第一NMOS 晶体管和第二NMOS晶体管提供,在所述第一NMOS 晶体管上串联第三NMOS晶体管作为保护器件,在所述第二NMOS 晶体管上串联第四NMOS晶体管作为保护器件;

对应前述保护器件,所述偏置电压产生电路配置有并联连接的第一支路、第二支路和第三支路;所述第一支路,用于为第一差分开关的两个PMOS晶体管和第二差分开关的两个PMOS晶体管提供衬底电压VBULK;所述第二支路,用于为第二差分开关的两个PMOS晶体管提供栅极偏置电压VDDM1;所述第三支路,用于为第三NMOS晶体管和第四NMOS晶体管提供栅极偏置电压VDDM;

所述第一尾电流管PMOS晶体管和第二尾电流管PMOS晶体管的衬底均连接其源极,所述第一差分开关的两个PMOS晶体管和第二差分开关的两个PMOS晶体管的衬底均连接前述衬底电压VBULK。

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