[发明专利]集成芯片复合MIMO天线阵列波束形成方法在审

专利信息
申请号: 202310051240.3 申请日: 2023-02-02
公开(公告)号: CN116299198A 公开(公告)日: 2023-06-23
发明(设计)人: 翁晓明;杨大宁 申请(专利权)人: 苏州雷森电子科技有限公司
主分类号: G01S7/03 分类号: G01S7/03;G01S7/02;G01S3/46
代理公司: 合肥禾知知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 34246 代理人: 卢双双
地址: 215200 江苏省苏*** 国省代码: 江苏;32
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 集成 芯片 复合 mimo 天线 阵列 波束 形成 方法
【权利要求书】:

1.集成芯片复合MIMO天线阵列波束形成方法,其特征在于,包括如下步骤:

S1、对集成的两芯片中每一路发射通道对应的接收通道,对当前目标计算出其所有相位差并对相位信息进行解缠绕处理;

S2、利用天线对称性,计算得到当前目标在当前天线阵列下的基准相位;

S3、计算当前目标虚拟通道相位以及相位加权平均值;

S4、计算当前目标的波达角度。

2.根据权利要求1所述的集成芯片复合MIMO天线阵列波束形成方法,其特征在于:每片所述芯片包括3路发射通道与4路接收通道,两所述芯片结构上相对称。

3.根据权利要求1所述的集成芯片复合MIMO天线阵列波束形成方法,其特征在于:所述步骤S1中对所有相位信息进行解缠绕处理公式为,

4.根据权利要求2所述的集成芯片复合MIMO天线阵列波束形成方法,其特征在于:所述步骤S2中基准相位计算步骤如下,

计算6路发射通道对应的第2路接收通道和第3路接收通道的相位差,并对相位差信息进行解缠绕处理,计算6路发射对应的第6路接收通道和第7路接收通道的相位差,并对相位差信息进行解缠绕处理,则基准相位ρstd计算步骤如下,

其中δ|Txn|Rxm为第n路的发射通道相对于第m路的接收通道的相位误差系数

对应求解平均值,则

5.根据权利要求1所述的集成芯片复合MIMO天线阵列波束形成方法,其特征在于:所述步骤S3计算步骤如下,

计算n1路发射m1路接收通道和n2路发射m2路接收通道的相位差,公式为,

其中exp(-j4πVrTc/λ)为多普勒相位偏移补偿,Vr为目标速度,Tc为脉冲重复周期,λ为载波波长,

对应进行解缠绕处理,计算虚拟通道相位,公式为,

其中Nint为当前k值对应的发射通道和接收通道构成的虚拟单元的归一化天线阵元间距,

对应计算相位加权平均值,公式为,

6.根据权利要求1所述的集成芯片复合MIMO天线阵列波束形成方法,其特征在于:所述步骤S4中,波达角度计算公式为,

angle=arcsin[ρestλ/(2πd)]

其中,d为天线阵元物理间距。

7.一种电子设备,包括存储器、处理器及存储在存储器上并可在处理器上运行的计算机程序,其特征在于:所述处理器执行所述程序时实现如权利要求1至6任一项所述的集成芯片复合MIMO天线阵列波束形成方法的步骤。

8.一种非暂态计算机可读存储介质,其上存储有计算机程序,其特征在于:所述计算机程序被处理器执行时用于实现上述权利要求1至6任一项所述的集成芯片复合MIMO天线阵列波束形成方法的步骤。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州雷森电子科技有限公司,未经苏州雷森电子科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202310051240.3/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top