[发明专利]一种柔性钙钛矿量子点薄膜的制备方法及其应用

权利要求书

1.一种柔性钙钛矿量子点薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

A.制备钙钛矿前驱体溶液，将卤化铅与卤化甲胺、卤化甲脒、卤化铯中任一种、高分子材料，溶于极性溶剂后，超声处理后静置，所使用的高分子材料为PVDF，PVDF-trfe中的一种或其混合物；

B.用移液枪取前驱体溶液于平整玻璃片基底上，旋涂获得液膜；

C.将玻璃转移至烤板上，用玻璃皿盖住样品退火，PVDF晶化，液膜转化为白色薄膜；

D.将薄膜连同玻璃皿整体转移，冷却至室温后取下玻璃皿，再将薄膜在空气环境中放置，钙钛矿量子点在PVDF内部晶化，形成钙钛矿量子点/PVDF复合薄膜，于去离子水中将量子点/PVDF复合薄膜从玻璃基板剥离，制得柔性钙钛矿量子点薄膜。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)中所用极性溶剂为DMF、DMSO中的一种或其混合物。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)中所述的卤化铅为溴化铅，氯化铅，碘化铅中的一种或者其混合物。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)中的溶液中所用卤化铅与卤化甲胺、卤化甲脒、卤化铯的摩尔比在为0.5-2之间，卤化铅摩尔浓度在0.008-0.08mol/L之间。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)中超声时间为半小时。

6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(3)中，薄膜退火温度为50℃，退火时间3分钟。

7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(4)中，薄膜冷却时间为90-120s，放置时间为2h。

8.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(5)中的SnO₂胶体质量分数为5%，转速4000转，退火温度170℃，退火时间30分钟。

9.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(5)中的钙钛矿溶液浓度为1.45mol/L,转速3000转，退火温度150℃，退火时间15分钟。

10.一种制备光电探测器的方法，其特征在于，包括如下步骤：

a.制备钙钛矿前驱体溶液，将卤化铅与卤化甲胺、卤化甲脒、卤化铯中任一种、高分子材料，溶于极性溶剂后，超声处理后静置，所使用的高分子材料为PVDF，PVDF-trfe中的一种或其混合物；

b.用移液枪取前驱体溶液于平整玻璃片基底上，旋涂获得液膜；

c.将玻璃转移至烤板上，用玻璃皿盖住样品退火，PVDF晶化，液膜转化为白色薄膜；

d.将薄膜连同玻璃皿整体转移，冷却至室温后取下玻璃皿，再将薄膜在空气环境中放置，钙钛矿量子点在PVDF内部晶化，形成钙钛矿量子点/PVDF复合薄膜，于去离子水中将量子点/PVDF复合薄膜从玻璃基板剥离，制得柔性钙钛矿量子点薄膜；

e.在ITO玻璃基底上旋涂SnO₂胶体，退火干燥，再取FA_0.85Cs_0.15PbI₃的DMF/DMSO溶液于上旋涂后退火，然后用刮涂法制备碳电极，再退火至碳浆干燥，制备FA_0.85Cs_0.15PbI₃钙钛矿太阳能电池；

f.将剥离的量子点/PVDF复合薄膜贴在FA_0.85Cs_0.15PbI₃钙钛矿太阳能电池光照入射侧，用胶固定，制备自供电钙钛矿光电探测器。