[发明专利]一种异质结电池组件专用低流动性封装胶膜及其制备方法有效

专利信息
申请号: 202310029555.8 申请日: 2023-01-09
公开(公告)号: CN115851147B 公开(公告)日: 2023-06-27
发明(设计)人: 辛灵敏;王龙;杨嘉承;蔡倩 申请(专利权)人: 浙江祥邦科技股份有限公司
主分类号: C09J7/10 分类号: C09J7/10;C09J7/30;C09J123/08;C09J151/06;C09J11/08;H01L31/048
代理公司: 杭州融方专利代理事务所(普通合伙) 33266 代理人: 沈相权;詹雨露
地址: 311254 浙江*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 一种 异质结 电池 组件 专用 流动性 封装 胶膜 及其 制备 方法
【说明书】:

发明公开了一种异质结电池组件专用低流动性封装胶膜及其制备方法。所述的封装胶膜的制备原料,按重量份计包括40‑80份基体树脂,20‑60份功能性树脂,0.01‑0.6份主交联剂,0.2‑0.8份助交联剂,0.01‑1份抗老化剂,0‑1份硅烷偶联剂;所述功能性树脂为POE接枝料。本发明制备的此种胶膜流动性低,同时保有足够低的模量可以有效降低电池层压中产生的隐裂,对异质结电池片也具有良好并持久的粘接力,适用于异质结组件的封装。

技术领域

本发明涉及封装胶膜,具体为一种异质结电池组件专用低流动性封装胶膜及其制备方法。

背景技术

随着电池技术的不断进步,光伏行业的度电成本也在不断下降,但由于主流PERC电池转换效率逐渐接近极限,进一步提升非常困难,新的电池技术已获得越来越多的关注,现今被讨论最多的,就是异质结与Topcon技术。

异质结电池,简称为HIT或HJT,HIT电池采用了单晶硅衬底和非晶硅薄膜异质结的结构,此种结构让HIT电池兼具了晶体硅电池与薄膜电池的优势,具有转换效率高、低衰减、低温度系数与高的双面率等优点,但也决定了异质结后续组件制备温度一定时间内不能超过230C,由此便决定了异质结电池必须配合低温焊接工艺,低温焊接通常采用先将焊带点焊于电池片上,再通过层压工艺使焊带表层熔融从而与电池片形成粘接,在此过程中由于胶膜同时熔融固化,在压力下,熔融的流体极易渗入焊接点造成断路,引起组件功率下降。为了解决此问题,一般采用将胶膜预交联,降低其流动性,但为了达到很低的流动性,往往需要较高的预交联度,而高的预交联度导致胶膜刚性增加,层压中很容易导致电池片隐裂,影响良率。所以在满足对异质结电池良好并持久的粘接下,如何同时满足低流动性与足够弹性就成了迫切需要解决的技术问题。

发明内容

针对现有技术的不足,本发明提供一种异质结电池组件专用低流动性封装胶膜及其制备方法,通过对胶膜制备原料的设计,使制备的胶膜流动性低,同时保有足够低的模量从而有效降低层压产生的隐裂,对异质结电池片也具有良好并持久的粘接力,适用于异质结组件的封装。

为实现以上目的,本发明通过以下技术方案予以实现:一种异质结电池组件专用低流动性封装胶膜,制备原料按重量份数计包括:40-80份基体树脂,20-60份功能性树脂,0.01-0.6份主交联剂,0.2-0.8份助交联剂,0.01-1份耐紫外老化剂,0-1份硅烷偶联剂;所述功能性树脂为POE接枝料。

作为优选,所述的基体树脂为POE树脂,熔点为45-85C,熔融指数为1-25g/10min。

作为优选,所述功能性树脂为POE接枝料,熔点为70-120C,熔融指数为0.5-7g/10min,接枝基团为沸点在100-190C的硅烷,硅烷相对接枝率>1%。

作为优选,所述主交联剂为过氧化-2-乙基己基碳酸叔丁酯、过氧化(2-乙基己基)碳酸叔戊酯、叔丁基过氧异丙基甲酸酯、1,1'-双(叔戊基过氧)环己烷、1,1-双(叔丁基过氧基)环己烷、1,1'-双(叔丁基过氧)-3,3,5-三甲基环己烷、2 ,5-二甲基-2 ,5-双(叔丁过氧基)己烷、过氧化3,5,5-三甲基己酸叔丁酯、过氧化二异丙苯、过氧化苯甲酸叔戊酯中的任意一种或多种;

作为优选,所述助交联剂选自三烯丙基异氰尿酸酯、三聚氰酸三烯丙酯、三羟甲基丙烷三丙烯酸酯、三羟甲基丙烷三甲基丙烯酸酯、季戊四醇三丙烯酸酯、三(2-羟乙基)异氰脲酸三丙烯酸酯、乙氧化三羟甲基丙烷三丙烯酸酯、丙氧化三羟甲基丙烷三丙烯酸酯、乙氧化甘油三丙烯酸酯、丙氧化甘油三丙烯酸酯、季戊四醇四丙烯酸酯、乙氧化季戊四醇四丙烯酸酯、三羟甲基丙烷四丙烯酸酯和双三羟甲基丙烷四丙烯酸酯中的任意一种或多种。

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