[实用新型]一种晶片吸附装置

说明书

本实用新型实施例公开了一种晶片吸附装置，涉及半导体设备技术领域，该晶片吸附装置包括吸附机构以及负压装置，所述吸附机构包括凸出体以及机构主体；所述凸出体设有凹槽；所述凸出体设于所述机构主体的一侧；所述机构主体设有通孔；所述凹槽与所述通孔连通；所述通孔与所述负压装置连通。取得了增大接触面积，产生更均衡的吸附力，安全牢固地吸取晶片的技术效果。

技术领域

本实用新型涉及半导体设备技术领域，尤其涉及一种晶片吸附装置。

背景技术

晶片转移的过程分为剥离、吸附、和转移等步骤，通常地使用带有吸附孔的吸附头贴合晶片，再利用负压装置抽空吸附孔的气体形成负压，从而使晶片贴合在吸附头的吸附孔处，但正因为受力集中在吸附孔处，晶片受力过于集中容易导致破裂。

实用新型内容

本实用新型实施例所要解决的技术问题是常规吸附头与晶片接触面积小，吸附力集中，吸附过程容易导致晶片破裂。

为了解决上述问题，本实用新型实施例公开一种晶片吸附装置。取得增大接触面积，产生更均衡的吸附力，安全牢固地吸取晶片的技术效果。

本实用新型提供了一种晶片吸附装置，该晶片吸附装置包括吸附机构以及负压装置，所述吸附机构包括凸出体以及机构主体；所述凸出体设有凹槽；所述凸出体设于所述机构主体的一侧；所述机构主体设有通孔；所述凹槽与所述通孔连通；所述通孔与所述负压装置连通。

其进一步的技术方案为，所述凹槽包括多个第一槽体以及多个第二槽体，多个所述第二槽体均间隔围绕设于所述通孔的四周，多个所述第二槽体通过所述第一槽体均与所述通孔连通。

其进一步的技术方案为，还包括基座，所述基座设于所述吸附机构的一侧。

其进一步的技术方案为，所述基座包括连接腔，所述连接腔分别与所述通孔以及所述负压装置连接。

其进一步的技术方案为，所述通孔设于所述凸出体的中心。

其进一步的技术方案为，所述凸出体的轮廓的正面投影形状为三角形。

其进一步的技术方案为，所述第一槽体的宽度与所述第二槽体的宽度相等。

其进一步的技术方案为，所述凸出体的高度为0.8-1.2mm。

其进一步的技术方案为，所述通孔的直径为0.8-1.2mm。

其进一步的技术方案为，所述吸附机构的材质为铝合金。

与现有技术相比，本实用新型实施例所能达到的技术效果包括：

通过凸出体增大吸附机构与晶片的接触面积，再在负压装置工作下可使凹槽以及通孔产生吸附力，对晶片的吸附力更加均衡，减少晶片破裂的情况发生。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本实用新型实施例提供的一种晶片吸附装置主视图；

图2为本实用新型实施例提供的一种晶片吸附装置结构示意图；

图3为本实用新型实施例提供的一种晶片吸附装置左视图；

图4为本实用新型实施例提供的一种晶片吸附装置结构截面图

图5为本实用新型实施例提供的一种晶片吸附装置结构示意图。

附图标记