[实用新型]一种晶片吸附装置有效
| 申请号： | 202223607815.5 | 申请日： | 2022-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN219106119U | 公开（公告）日： | 2023-05-30 |
| 发明（设计）人： | 白文;徐虎;刘浦;何卫东;韦道文 | 申请（专利权）人： | 芯思杰技术（深圳）股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683 |
| 代理公司： | 深圳智汇远见知识产权代理有限公司 44481 | 代理人： | 蒋学超 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市南*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 晶片 吸附 装置 | ||
1.一种晶片吸附装置，其特征在于，包括吸附机构以及负压装置，所述吸附机构包括凸出体以及机构主体；所述凸出体设有凹槽；所述凸出体设于所述机构主体的一侧；所述机构主体设有通孔；所述凹槽与所述通孔连通；所述通孔与所述负压装置连通。
2.根据权利要求1所述的晶片吸附装置，其特征在于，所述凹槽包括多个第一槽体以及多个第二槽体，多个所述第二槽体均间隔围绕设于所述通孔的四周，多个所述第二槽体通过所述第一槽体均与所述通孔连通。
3.根据权利要求1所述的晶片吸附装置，其特征在于，还包括基座，所述基座设于所述吸附机构的一侧。
4.根据权利要求3所述的晶片吸附装置，其特征在于，所述基座包括连接腔，所述连接腔分别与所述通孔以及所述负压装置连接。
5.根据权利要求1所述的晶片吸附装置，其特征在于，所述通孔设于所述凸出体的中心。
6.根据权利要求1所述的晶片吸附装置，其特征在于，所述凸出体的轮廓的正面投影形状为三角形。
7.根据权利要求2所述的晶片吸附装置，其特征在于，所述第一槽体的宽度与所述第二槽体的宽度相等。
8.根据权利要求1所述的晶片吸附装置，其特征在于，所述凸出体的高度为0.8-1.2mm。
9.根据权利要求1所述的晶片吸附装置，其特征在于，所述通孔的直径为0.8-1.2mm。
10.根据权利要求1所述的晶片吸附装置，其特征在于，所述吸附机构的材质为铝合金。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
