[实用新型]炉门系统及具有炉门系统的高温刻蚀炉有效
申请号: | 202223540536.1 | 申请日: | 2022-12-29 |
公开(公告)号: | CN219223327U | 公开(公告)日: | 2023-06-20 |
发明(设计)人: | 郑冬;徐春阳;周慧娟 | 申请(专利权)人: | 楚赟科技(绍兴)有限公司 |
主分类号: | F27D1/18 | 分类号: | F27D1/18 |
代理公司: | 上海恒锐佳知识产权代理事务所(普通合伙) 31286 | 代理人: | 吴浩 |
地址: | 311800 浙江省绍兴市*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 炉门 系统 具有 高温 刻蚀 | ||
本实用新型提供了一种炉门系统及具有炉门系统的高温刻蚀炉,涉及高温刻蚀炉的技术领域。炉门系统包括安装部,安装部上开设有连通部;安装部上设置对称设置有第一炉门和第二炉门,且第一炉门和第二炉门均与连通部盖合适配;第一炉门上设置第一止动键,第二炉门上开设第一止动槽,当第一炉门盖合连通部时,第一止动键卡接于第一止动槽;第二炉门上设置第二止动键,第一炉门上开设第二止动槽,当第二炉门盖合于所述连通部时,第二止动键卡接第二止动槽;高温刻蚀炉上安装有炉门系统。本实用新型的炉门系统能够缩短炉体内腔暴露在空气中的时间,有利于提高生产效率,还能避免在对炉门进行维护时,炉门之间发生相互撞击而损坏炉门。
技术领域
本实用新型涉及高温刻蚀炉的技术领域,尤其涉及一种炉门系统及具有炉门系统的高温刻蚀炉。
背景技术
金属有机化学气相沉积设备(简称MOCVD)以热分解反应方式在衬底上进行化学沉积反应,生长各种III-V族、II-VI族化合物半导体以及它们的多元固溶体的薄层单晶材料。石墨盘作为衬底的承载平台,在该反应过程中会有多余的化学反应残留物沉积在石墨盘表面上。如果不对这些残留物进行清除的话,会在新的一炉外延片生长过程中影响对应的温度控制和表面颗粒,并最终影响到外延片生长的成品率。目前主要采用氯气或氯化物高温刻蚀烘烤炉对石墨盘和报废外延片进行加热刻蚀化学反应,从而在充分清洁石墨盘表面和衬底片外延层的化学沉积物。
现有的高温刻蚀炉都是一个腔体配置一个炉门,在腔体内对处理对象进行高温刻蚀步骤后需要开启炉门移出处理对象,由于炉门上会残留氯化物,因此需要对炉门表面进行维护,然而在维护炉门时,炉体暴露在空气中的时间长,炉体内残留的氯化物发生潮解反应会腐蚀炉体,而且对炉门进行维护时,影响刻蚀炉的产能。
因此,需要提出一种能够改善上述问题的炉门系统。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种炉门系统及具有炉门系统的高温刻蚀炉,能够缩短炉体内腔暴露在空气中的时间,有利于提高生产效率,还能避免在对炉门进行维护时炉门之间发生相互撞击而损坏炉门。
第一方面,本实用新型提供的炉门系统,采用如下的技术方案:
包括安装部,所述安装部用于安装在炉体开口,所述安装部上开设有连通部,所述连通部与炉体开口连通;所述安装部上铰接设置有第一炉门和第二炉门,所述第一炉门和第二炉门对称设置,且所述第一炉门和第二炉门均与所述连通部盖合适配,用于将所述炉体与外部连通或隔离;所述第一炉门上设置有第一止动键,所述第二炉门上开设有第一止动槽,当所述第一炉门盖合于所述连通部时,所述第一止动键卡接于所述第一止动槽;所述第二炉门上设置有第二止动键,所述第一炉门上开设有第二止动槽,当所述第二炉门盖合于所述连通部时,所述第二止动键卡接于所述第二止动槽。
本实用新型提供的炉门系统的有益效果在于:将第一炉门盖合在连通部上,第一炉门上的第一止动键卡接在第二炉门上的第一止动槽内,从而限制第二炉门的转动,便于对第二炉门进行维护,同时炉体内还可以正常进行加工;同理对第一炉门进行维护时,第二炉门盖合在连通部上对连通部进行封闭;能够避免炉体在进行炉门维护时,内腔在空气中长时间暴露,同时能够在进行炉门维护时,进行下一炉的工艺,加快生产速率,提高了炉体内腔的利用率。
可选的,所述第一止动槽与所述第二止动槽呈对角设置。
可选的,所述第一炉门包括第一转动部,所述第一转动部与所述安装部转动连接,且所述第二止动槽位于所述第一转动部;所述第二炉门包括第二转动部,所述第二转动部与所述安装部转动连接,且所述第一止动槽位于所述第二转动部。第一转动部和第二转动部能够分别提高第一炉门和第二炉门在安装部的转动稳定性,同时将第一止动槽和第二止动槽分别开设在第一转动部和第二转动部上,能够保证第一炉门和第二炉门的完整性。
可选的,所述第一止动键位于所述第一炉门相对远离第一转动部的一侧;所述第二止动键位于所述第二炉门相对远离第二转动部的一侧。
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