[实用新型]一种晶体生长坩埚用泄压装置

说明书

本实用新型公开了一种晶体生长坩埚用泄压装置，属于晶体生长技术领域，包括生长容器、端盖和泄压装置本体，所述端盖的顶部通过覆盖泄压装置本体的输气管固定连接有处理箱，所述处理箱的底部内壁固定连接有硫酸钙网板，位于所述硫酸钙网板一侧的处理箱的底部内壁固定连接有木炭网板，所述处理箱的一侧外壁外放置有降污机构。本实用新型工作时，当泄压装置本体工作，生长容器中会有大量气体喷出，喷出的氨气经输气管排放至处理箱内，经过处理箱中的硫酸钙网板和木炭网板过滤，可使得气体中的氨气被去除，配合降污机构可对氨气做进一步处理，因此，可对氨气进行处理，实现保护工作人员身体的效。

技术领域

本实用新型属于晶体生长技术领域，尤其涉及一种晶体生长坩埚用泄压装置。

背景技术

晶体的培养是在高压釜内进行的。高压釜由耐高温高压和耐酸碱的特种钢材制成。上部为结晶区，悬挂有籽晶；下部为溶解区，放置培养晶体的原料，釜内填装溶剂介质。由于结晶区与溶解区之间有温度差(如培养水晶，结晶区为330-350℃，溶解区为360-380℃)而产生对流，将高温的饱和溶液带至低温的结晶区形成过饱和析出溶质使籽晶生长。温度降低并已析出了部分溶质的溶液又流向下部，溶解培养料，如此循环往复，使籽晶得以连续不断地长大，经常需要用到一种晶体生长坩埚。

目前，公告号为CN111304732A的中国专利公开了一种晶体生长装置、热等静压设备及晶体生长方法。装置包括生长容器、端盖、密封件和泄放装置，生长容器具有至少一个开口，开口与生长容器内空腔相连通；端盖覆盖开口，以与生长容器内形成生长腔室；密封件设置于生长容器和端盖之间，以将生长腔室密封，泄放装置设置于端盖上，并贯穿端盖以与生长腔室相连通。

但是，上述装置在使用时，通过端盖上的泄压装置之间对生长容器进行泄压，生长容器中的液氨会随之排放，污染工作区域环境。

实用新型内容

本实用新型的目的是为了解决现有技术中存在的缺点，而提出的一种晶体生长坩埚用泄压装置。其优点在于：可对氨气进行处理，实现保护工作人员身体的效果。

为了实现上述目的，本实用新型采用了如下技术方案：

一种晶体生长坩埚用泄压装置，包括生长容器、端盖和泄压装置本体，所述端盖的顶部通过覆盖泄压装置本体的输气管固定连接有处理箱，所述处理箱的底部内壁固定连接有硫酸钙网板，位于所述硫酸钙网板一侧的处理箱的底部内壁固定连接有木炭网板，所述处理箱的一侧外壁外放置有降污机构。

通过以上技术方案：工作时，当泄压装置本体工作，生长容器中会有大量气体喷出，喷出的氨气经输气管排放至处理箱内，经过处理箱中的硫酸钙网板和木炭网板过滤，可使得气体中的氨气被去除，配合降污机构可对氨气做进一步处理，因此，可对氨气进行处理，实现保护工作人员身体的效果。

本实用新型进一步设置为，所述降污机构包括降污箱，所述降污箱的一侧内壁和处理箱的一侧内壁之间通过输气管固定连接，所述降污箱内壁填充有过氧化氢。

通过以上技术方案：降污箱的设置，可使得氨气被过氧化氢处理，使得氨气被处理充分。

本实用新型进一步设置为，所述降污箱的顶部内壁通过输气管固定连接有排放箱，所述排放箱内设置有干燥网板，所述排放箱的一侧外壁开设有排放口。

通过以上技术方案：干燥网板的设置，可对经过氧化氢处理的气体进行干燥，可避免过氧化器经排放口排放至空气中。

本实用新型进一步设置为，所述排放箱的一端外壁开设有安装口，所述排放箱的一端外壁铰接有覆盖于安装口的安装门，所述安装口的一端内壁开设有与干燥网板形成滑动配合的安装槽。

通过以上技术方案：安装门的设置，可便于工作人员对干燥网板进行更换或者清理，即打开安装门，将干燥网板经安装槽和安装口中取出即可。

本实用新型进一步设置为，所述干燥网板呈双层空腔结构。