[实用新型]射频功率放大器及射频芯片

权利要求书

1.一种射频功率放大器，其特征在于，所述射频功率放大器包括依次连接的信号输入端、功率检测模块、偏置电压控制模块、第一放大器模块、偏置电路、第二放大器模块以及信号输出端；

所述功率检测模块的输入端连接所述信号输入端并对所述信号输入端输入的射频信号进行功率检测，所述功率检测模块的输出端分别输出至所述第一放大器模块的输入端和所述偏置电压控制模块的输入端；

所述偏置电路的输入端连接至外部的第一固定电压，所述偏置电路的输出端连接至所述第一放大器模块，用于为所述第一放大器模块提供偏置电压，并使所述第一放大器模块在所述射频功率放大器的功率范围内始终处于开启状态；

所述偏置电压控制模块的输出端连接所述第二放大器模块的输入端，并将所述功率检测模块对所述射频信号进行功率检测后输出的检测电压转换为第二固定电压，用于为第二放大器模块提供偏置电压；

所述第一放大器模块的输出端和所述第二放大器模块的输出端共同与所述信号输出端连接。

2.根据权利要求1所述的射频功率放大器，其特征在于，所述第一放大器模块包括第一电容、第一晶体管以及第一电感；所述第一电容的第一端作为所述第一放大器模块的输入端连接至所述功率检测模块的输出端，所述第一电感的第一端连接至所述偏置电路的输出端，所述第一电容的第二端分别与所述第一晶体管的基极和所述第一电感的第二端连接，所述第一晶体管的发射极接地，所述第一晶体管的集电极作为所述第一放大器模块的输出端连接至所述信号输出端，所述第一晶体管的集电极还连接至电源电压；

所述第二放大器模块包括第二电容、第二晶体管以及第二电感；所述第二电感的第一端作为所述第二放大器模块的输入端连接至所述偏置电压控制模块的输出端，所述第二电容的第一端与所述第一电容的第一端连接，所述第二电容的第二端分别与所述第二电感的第二端和所述第二晶体管的基极连接，所述第二晶体管的发射极接地，所述第二晶体管的集电极作为所述第二放大器模块的输出端连接至所述信号输出端，所述第二晶体管的集电极还连接至电源电压。

3.根据权利要求2所述的射频功率放大器，其特征在于，所述第一晶体管包括多个，多个所述第一晶体管并联设置。

4.根据权利要求2所述的射频功率放大器，其特征在于，所述第一放大器模块还包括第三电感，所述第三电感的第一端连接所述电源电压，所述第三电感的第二端连接所述第一晶体管的集电极。

5.根据权利要求2所述的射频功率放大器，其特征在于，所述第二晶体管包括多个，多个所述第二晶体管并联设置。

6.根据权利要求1所述的射频功率放大器，其特征在于，所述射频功率放大器还包括输入匹配网络，所述输入匹配网络的输入端连接所述功率检测模块的输出端，所述输入匹配网络的输出端连接所述第一放大器模块的输入端。

7.根据权利要求1所述的射频功率放大器，其特征在于，所述射频功率放大器还包括输出匹配网络，所述输出匹配网络的输入端连接所述第一放大器模块的输出端和所述第二放大器模块的输出端，所述输出匹配网络的输出端连接至所述信号输出端。

8.一种射频芯片，其特征在于，包括如权利要求1-7任意一项所述的射频功率放大器。