[实用新型]一种新型HVPE承载座

说明书

一种新型HVPE承载座，包括底座、承载体和弹力夹，所述承载体插设在底座上，承载体两侧均设置有用于卡住衬底的卡槽，将两个衬底的下部分别插设在两个卡槽后，通过弹力夹夹持住两个衬底的上部，从而使两个衬底均固定在承载体上。一种新型HVPE承载座，可以同时插入两个衬底，两个衬底在同一时间内均可以生长GaN晶体，进而提高生长效率，使得生产速度更快。

技术领域

本实用新型涉及HVPE技术领域，尤其涉及一种新型HVPE承载座。

背景技术

氮化镓自支撑衬底目前商业化产品主要采用氢气相外延沉积(HVPE)工艺，高效生长出高等级的GaN晶体是关键核心技术之一。HVPE长晶炉有立式(垂直)和卧式(水平)两种。目前的HVPE设备长晶体用的衬底片承载座只能放置单片衬底，生长效率慢。

实用新型内容

为了克服上述技术的不足，本实用新型的目的是提供一种新型HVPE承载座。

本实用新型所采用的技术方案是：一种新型HVPE承载座，包括底座、承载体和弹力夹，所述承载体插设在底座上，承载体两侧均设置有用于卡住衬底的卡槽，将两个衬底的下部分别插设在两个卡槽后，通过弹力夹夹持住两个衬底的上部，从而使两个衬底均固定在承载体上。

进一步的，所述承载体呈圆形。

进一步的，所述底座上设置有与承载体相配合的弧形槽。

进一步的，所述两个卡槽对称设置。

进一步的，所述底座水平设置。

进一步的，所述承载体竖直设置。

与现有技术相比，本实用新型具有以下有益效果：一种新型HVPE承载座，可以同时插入两个衬底，两个衬底在同一时间内均可以生长GaN晶体，进而提高生长效率，使得生产速度更快。

附图说明

图1是本实用新型的结构示意图；

图2是底座的结构示意图；

图3是承载体的结构示意图；

图4是弹力夹的结构示意图。

具体实施方式

下面结合附图和具体实施例对本实用新型作详细说明。

如图1至图4所示，一种新型HVPE承载座，包括底座1、承载体2和弹力夹3，所述承载体2插设在底座1上，承载体2两侧均设置有用于卡住衬底4的卡槽5，将两个衬底4的下部分别插设在两个卡槽5后，通过弹力夹3夹持住两个衬底4的上部，从而使两个衬底4均固定在承载体2上。

所述承载体2呈圆形。

所述底座1上设置有与承载体2相配合的弧形槽6。承载体2插设在底座1上，易于取放。

所述两个卡槽5对称设置。使得整体结构更加稳定和匀称，便于GaN晶体生长均匀。

所述底座1水平设置。所述承载体2竖直设置。将本实用新型竖直放置在HVPE中，可以在底座下方设置旋转座，旋转座带动底座旋转，从而使得晶体成型更均匀。所述旋转座可以连接升降机构，从而方便本实用新型高度的调整。

使用弹力夹3固定衬底4，从而降低对衬底4的磨损和破坏。

衬底4的材料可以是与生长材料一样的GaN，也可以蓝宝石、碳化硅或镁酸铝钪等。

承载体2的材料可以是石墨、碳化硅、氮化硼或氮化钽。

底座1的材料可以是石墨、碳化硅、氮化硼或氮化钽。

上述实施例以本实用新型技术方案为前提，给出了详细的实施方式和具体的操作过程，但本实用新型的保护范围不限于上述的实施例。