[实用新型]一种半片HJT电池片的抽片装置有效
申请号: | 202222871603.1 | 申请日: | 2022-10-28 |
公开(公告)号: | CN219106184U | 公开(公告)日: | 2023-05-30 |
发明(设计)人: | 宋金诚;张晓波;杨超 | 申请(专利权)人: | 江苏国晟世安新能源有限公司 |
主分类号: | H01L31/20 | 分类号: | H01L31/20;H01L21/677 |
代理公司: | 常州佰业腾飞专利代理事务所(普通合伙) 32231 | 代理人: | 王巍巍 |
地址: | 221003 江苏省徐州市贾*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 hjt 电池 装置 | ||
本实用新型涉及一种半片HJT电池片的抽片装置,包括抽片组件、中转平台和驱动组件,驱动组件驱动抽片组件沿水平方向和竖直方向往复移动;抽片组件包括抽片本体,抽片本体包括沿水平方向依次设置的抽手部和搬载部,中转平台位于抽片本体的左右两侧且位于电池片的下方,抽手部上沿水平方向依次设有第一挡块、第一支撑块、微孔吸盘、第二支撑块和第二挡块,微孔吸盘分别低于第一支撑块和第二支撑块,第一挡块和第二挡块的斜面与电池片的两侧边缘线接触,第一支撑块和第二支撑块与电池片的中部接触,搬载部上沿水平方向依次设有第三挡块、第三支撑块和第四挡块,第三挡块和第四挡块的斜面与电池片的两侧边缘线接触,第三支撑块与电池片的中部接触。
技术领域
本实用新型属于太阳能电池片技术领域,尤其涉及一种半片HJT电池片的抽片装置。
背景技术
HJT电池是以N型硅片为衬底,在正面依次为透明导电氧化物膜(简称TCO)、P型非晶硅薄膜和本征氢非晶硅薄膜,在背面依次为透明导电氧化物膜(简称TCO)、N型非晶硅薄膜和本征非晶硅膜。为了克服常规电池片行业以整片工艺为主,在电池组件工序段进行切片,造成切损,影响电池组件效率的缺陷,目前HJT电池片采用半片工艺,即在(硅片)来料前先进行切半片,再进行HJT电池片的工艺流程。同时为了降低硅片成本,会走薄片化路线,从150um厚度降到100um厚度甚至更薄。
HJT电池片工艺流程中制绒工序后再进行沉积工序时,需要卸载花篮中的半片HJT电池片,再置入PECVD的工艺治具内。因为制绒后的硅片有金字塔的绒面,极容易受到物理机械伤害,现有卸载装置从花篮里将半片HJT电池片抽出时极容易刮花电池片造成PL划伤。
实用新型内容
为解决现有技术存在的从花篮里将半片HJT电池片抽出时极容易刮花电池片的问题,本实用新型提供一种半片HJT电池片的抽片装置。
为解决上述技术问题,本实用新型所采用的技术方案如下,一种半片HJT电池片的抽片装置,包括抽片组件、中转平台和驱动组件,所述驱动组件用于驱动抽片组件沿水平方向和竖直方向往复移动;所述抽片组件包括抽片本体,所述抽片本体包括沿水平方向依次设置的抽手部和搬载部,所述抽手部和搬载部均可放置电池片,所述中转平台位于抽片本体的左右两侧且位于电池片的下方,所述抽手部上沿水平方向依次设置有第一挡块、第一支撑块、微孔吸盘、第二支撑块和第二挡块,所述微孔吸盘的高度分别低于第一支撑块和第二支撑块,所述第一挡块和第二挡块上均具有斜面,所述第一挡块和第二挡块的斜面与电池片的两侧边缘线接触,所述第一支撑块和第二支撑块与电池片的中部接触,所述搬载部上沿水平方向依次设置有第三挡块、第三支撑块和第四挡块,所述第三挡块和第四挡块上也均具有斜面,所述第三挡块和第四挡块的斜面与电池片的两侧边缘线接触,所述第三支撑块与电池片的中部接触。
作为优选,所述抽片本体的材质为铝合金材质;所述第一挡块、第二挡块、第三挡块和第四挡块的材质均为PEEK材质;所述第一支撑块、第二支撑块和第三支撑块的材质均为玻璃材质。铝合金材质的抽片本体的重量较轻,但具有足够的结构强度;第一挡块、第二挡块、第三挡块和第四挡块能可靠、稳定的支撑电池片,且因是线接触支撑和PEEK材质,确保不会划伤电池片;第一支撑块、第二支撑块和第三支撑块有效支撑电池片的中部,特别是有效防止薄片的电池片中部下凹变形造成损伤,且玻璃与电池片的硅片的材质相近,不会产生划伤和黑点。
进一步地,所述第一挡块、第二挡块、第三挡块和第四挡块分别通过螺钉固定设置;所述抽手部和搬载部上均开设有沉孔,所述第一支撑块、第二支撑块和第三支撑块分别放置在对应的沉孔内固定设置。第一挡块、第二挡块、第三挡块和第四挡块的固定结构简单可靠,便于安装,成本较低;第一支撑块、第二支撑块和第三支撑块的固定结构简单可靠,便于安装,便于更换尺寸,成本较低。
进一步地,所述抽手部远离搬载部的一端设置有包裹层,所述包裹层的材质为软材质。有效防止抽手部伸进花篮内抽取电池片时损伤电池片或花篮。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的