[实用新型]一种抑制驱动电压震荡的MOS管电路

说明书

本实用新型公开了一种抑制驱动电压震荡的MOS管电路，所述MOS管电路具有驱动端，所述驱动端用于与外界驱动装置连接，所述MOS管电路还包括电源和MOS管模块，所述电源具有阳极与阴极，所述MOS管模块包括MOS管和第一电容，所述MOS管具有源极、漏极和栅极，所述源极与所述电源的阴极连接，所述漏极与所述电源的阳极连接，所述栅极与所述驱动端连接，所述第一电容具有第一端和第二端，所述第一电容的第一端与所述MOS管的漏极连接，所述第一电容的第二端与所述MOS管的源极连接。本实用新型得到的MOS管电路解决了栅极被干扰的问题，可以完全消除栅极的震荡。

技术领域

本实用新型涉及负载开关电路，尤其涉及一种抑制驱动电压震荡的MOS 管电路。

背景技术

MOSFET(以下称MOS管)应用在大电流负载关断的情况，往往作为控制关断的开关，参见图1。由于负载通常含有感性成分，电感效应导致电流不能立刻消失，会在MOS管的漏极(以下称D极)和源极(以下称S极)之间感应出一个高电压，并且该电压上升速度非常快。由于MOS管极间有结电容存在，D极电压突变会引起栅极(以下称G极)电压震荡，震荡会引起MOS 管开关损耗增大，发热，甚至损坏。

图2展示了应用在48V锂电池包内的MOS管切断负载时的波形，可以看出，D极断开瞬间，电压上升速度非常块，导致G极被干扰，产生严重的震荡。

通常工程中会设置组件和增强下拉能力，使得G极在被干扰后，被动吸收震荡电压。但是，电流足够大的时候，效果就不太理想。并且，现有技术不仅不能完全抑制震荡，因受器件下拉能力和PCB线路阻抗影响，还往往影响开启和关断速度。

以上背景技术内容的公开仅用于辅助理解本实用新型的构思及技术方案，其并不必然属于本专利申请的现有技术，也不必然会给出技术教导；在没有明确的证据表明上述内容在本专利申请的申请日之前已经公开的情况下，上述背景技术不应当用于评价本申请的新颖性和创造性。

实用新型内容

本实用新型的目的是提供一种抑制驱动电压震荡的MOS管电路，以解决现有技术中电路关断时电压震荡、引起MOS管过热甚至损坏的问题。

为达到上述目的，本实用新型采用的技术方案如下：

本实用新型提供了一种抑制驱动电压震荡的MOS管电路，所述MOS管电路具有驱动端，所述驱动端用于与外界驱动装置连接，所述MOS管电路还包括：

电源，所述电源具有阳极与阴极；

MOS管模块，所述MOS管模块包括MOS管和第一电容；

所述MOS管具有源极、漏极和栅极，所述源极与所述电源的阴极连接，所述漏极与所述电源的阳极连接，所述栅极与所述驱动端连接；

所述第一电容具有第一端和第二端，所述第一电容的第一端与所述MOS 管的漏极连接，所述第一电容的第二端与所述MOS管的源极连接。

在漏极和源极之间并联电容后，MOS管在大电流关断时，由于设置了第一电容，MOS管断开前第一电容上的电压为零，MOS管断开时，由于电容电压不能突变的特性，负载感性电流会首先给第一电容充电，这样就减缓了MOS 管漏极电压的上升速度，从而减小对栅极的干扰。

进一步地，所述MOS管模块还包括第二电容，所述第二电容的第一端与所述MOS管的栅极连接，所述第二电容的第二端与所述MOS管的源极连接。

所述第二电容的作用是进一步过滤震荡电压。

进一步地，所述MOS管模块还包括PNP型三极管，所述PNP型三极管具有基极、发射极和集电极，所述基极与所述驱动端连接，所述发射极与所述MOS管的栅极连接，所述集电极与所述MOS管的漏极连接。

所述PNP型三极管能够增强电路关断时的下拉能力。