[实用新型]曝光掩模

说明书

提供了曝光掩模。该曝光掩模包括被曝于光以在衬底上形成图案的图案部分、围绕图案部分的外围的围绕部分以及布置在围绕部分中的校正图案部分。校正图案部分沿图案部分的边缘以线排列布置。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2021年10月6日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2021-0132373号的优先权和权益，该韩国专利申请的整个内容通过引用并入本文中。

技术领域

本公开涉及曝光掩模以及使用该曝光掩模的曝光设备的校正方法。

背景技术

光刻工艺可以用于形成包括显示装置的装置。

当在使用曝光设备和曝光掩模执行光刻工艺期间在曝光设备的曝光方向上产生误差时，在通过使用曝光设备的光刻工艺形成的图案中可能产生误差。

显示装置的分辨率增加并且包括在显示装置中的图案的大小减小，并且相应地，进一步减小曝光设备的曝光方向上的误差的需求在增加。

在本背景部分中公开的以上信息仅为了增强对所描述的技术的背景的理解，并且因此其可能包含不构成在本国中对本领域的普通技术人员已知的现有技术的信息。

实用新型内容

实施例提供了能够减小在曝光设备的曝光方向上的误差的曝光掩模以及使用该曝光掩模的曝光设备的校正方法。

然而，通过实施例要解决的问题不限于上述问题，并且可以在包括在实施例中的技术思想的范围内进行各种扩展。

根据实施例的曝光掩模可以包括被曝于光以在衬底上形成图案的图案部分、围绕图案部分的外围的围绕部分以及布置在围绕部分中的多个校正图案部分。多个校正图案部分可以沿图案部分的边缘以线排列布置。

多个校正图案部分中的每个可以包括多个校正图案，并且多个校正图案可以沿第一方向以线排列布置，并且可以沿与第一方向垂直的第二方向以线排列布置。

多个校正图案的布置在第一方向上的相邻的校正图案可以具有第一间距，并且多个校正图案的布置在第二方向上的相邻的校正图案可以具有第二间距。

第一间距和第二间距可以彼此相同。

第一间距和第二间距可以为大约20μm。

多个校正图案可以具有彼此相同的平面形状。

多个校正图案可以具有彼此相同的面积。

多个校正图案可以具有四边形形状。

多个校正图案可以具有十字形形状。

多个校正图案可以具有带有倒角边缘的四边形形状。

根据实施例的曝光设备的校正方法可以包括：基于曝光设备的光供给单元的移动方向和速度来校正光供给单元的光供给方向；在初次校正后光供给方向上曝出光；通过将光曝光于多个校正图案部分来形成多个曝光图案；通过使用曝光图案来确定在光供给方向上是否产生误差；以及基于所确定的误差来校正光供给方向。

曝出光可以使用曝光掩模。曝光掩模可以包括：被曝于光以在衬底上形成图案的图案部分、围绕图案部分的外围的围绕部分以及布置在围绕部分中的多个校正图案部分。多个校正图案部分可以沿图案部分的边缘以线排列布置。

确定是否产生误差可以包括：确定多个曝光图案是否沿第一方向和第二方向以线排列布置。

确定是否产生误差可以包括：测量多个曝光图案沿第一方向或第二方向偏离的距离。

根据依据实施例的曝光掩模和使用曝光掩模的曝光设备的校正方法，可以能够减小在曝光设备的曝光方向上的误差。