[实用新型]曝光掩模有效
| 申请号： | 202222605286.9 | 申请日： | 2022-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN218524998U | 公开（公告）日： | 2023-02-24 |
| 发明（设计）人： | 李润烈;李载友;金玄祐 | 申请（专利权）人： | 三星显示有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/42 | 分类号： | G03F1/42;G03F1/00 |
| 代理公司： | 北京金宏来专利代理事务所(特殊普通合伙) 11641 | 代理人： | 李子光 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 曝光 | ||
1.一种曝光掩模，其特征在于，包括：
图案部分，所述图案部分被曝于光以在衬底上形成图案；
围绕部分，所述围绕部分围绕所述图案部分的外围；以及
多个校正图案部分，所述多个校正图案部分布置在所述围绕部分中，
其中，所述多个校正图案部分沿所述图案部分的边缘以线排列布置。
2.根据权利要求1所述的曝光掩模，其特征在于，
所述多个校正图案部分中的每个包括多个校正图案，并且
所述多个校正图案沿第一方向以线排列布置，并且沿与所述第一方向垂直的第二方向以线排列布置。
3.根据权利要求2所述的曝光掩模，其特征在于，
所述多个校正图案的布置在所述第一方向上的相邻的校正图案具有第一间距，并且
所述多个校正图案的布置在所述第二方向上的相邻的校正图案具有第二间距。
4.根据权利要求3所述的曝光掩模，其特征在于，所述第一间距和所述第二间距彼此相同。
5.根据权利要求4所述的曝光掩模，其特征在于，所述第一间距和所述第二间距为20μm。
6.根据权利要求3所述的曝光掩模，其特征在于，所述多个校正图案具有彼此相同的平面形状。
7.根据权利要求6所述的曝光掩模，其特征在于，所述多个校正图案具有彼此相同的面积。
8.根据权利要求6所述的曝光掩模，其特征在于，所述多个校正图案具有四边形形状。
9.根据权利要求6所述的曝光掩模，其特征在于，所述多个校正图案具有十字形形状。
10.根据权利要求6所述的曝光掩模，其特征在于，所述多个校正图案具有带有倒角边缘的四边形形状。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星显示有限公司，未经三星显示有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202222605286.9/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种液压系统和装载机
- 下一篇：一种自动防洪窨井盖
- 同类专利
- 专利分类
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
